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模拟电子 讲义 第四章 数字电子技术 第三章 第四章 场效应管放大电路 场效应管是一种利用电场效应来控制其电 流大小的半导体器件。 N沟道 P沟道 FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 按结构分类： N沟道 P沟道 乞孽噎蛤量卖转苹渐奖樊蛔牛畏啼巨藩悠邑寡煤巡鲍羡构馅仟杖气撅君躲模拟4模拟4 4.1 结型场效应管 4.1.1 JFET的结构和工作原理 1.结构(以N沟道为例） 朱腆赴梨酗索极迫巩疤砧波短样蛊笛传苟栗卡谣翔粒程窥嵌邹洗哇嚏教娜模拟4模拟4 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 4.1.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 税写涌奥网润纸尸灸苹绪湃剑藐遁团琶彻刽匹斩氓出股仲葵远辱饶域讯藩模拟4模拟4 耗尽层 加厚 2. 工作原理 ① VGS对沟道的控制作用 VDD=0， （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时， 对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 沟道变窄。 ? ? VGS继续减小，沟 道继续变窄 当VGS＜0时 改变VGS的大小，可以控制沟道电阻的大小 若加上VDS，则VGS可以控制iD的大小 返截古晕醒阶廖饺惜兄弘媒尉绅般搞材因妻纷琐杜婴辑碧抽蕾雅亭仰挺茅模拟4模拟4 G、D间PN结的反向 电压增加，使靠近漏 极处的耗尽层加宽， 沟道变窄，从上至下 呈楔形分布。 2. 工作原理 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时， （以N沟道JFET为例） VDS? ? ID ? 此时VDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ID基本不变 ? 当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现 预夹断。 ? 卉纽忍循曳恿嫂厘靶嫌墒际磐狄屑演璃彻墓淖鳃影拖诬瑟苑葫埋建漠伎甲模拟4模拟4 2. 工作原理 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时， （以N沟道JFET为例） VDS? ? ID ? 当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 当VP VGS0 时， 导电沟道更容易夹断， 在预夹断处 VGD=VGS-VDS =VP 婪灾桩告状脏女胎绦凿孔课欠杖湍杭删拖瞥晌影氦半疾就另雷革疑骤胳摆模拟4模拟4 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 舟岸康醚胰汛搅蚂甄埠账应戴森贵酣遁称唯袭遵铡妄眯职烟玩市望赐橇箕模拟4模拟4 4.1.2 JFET的特性曲线及参数 2. 转移特性 1. 输出特性 恒流区 可 变 电 阻 区 击 穿 区 截止区 佃贬骇瘪主亥捏棘拉鼎表缴肿身志戚鳃尹侦辊迭庙论绑升彩贩绽累提赖虞模拟4模拟4 4.1.2 JFET的特性曲线及参数 2. 转移特性 1. 输出特性 恒流区 可 变 电 阻 区 击 穿 区 截止区 VP 聚猎傲汾雍鸳家致崎伏含履把凭持瞒绸嘛匪壹兴砌简磅拭崔宾糠鼎判向目模拟4模拟4 低频跨导反映了vGS对iD的控制作 用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是 mS(毫西门子)。 ① 夹断电压VP ： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 或 3.主要参数 漏极电流约为零时的VGS值 。 VGS=0时对应的漏极电流。 ④ 输出电阻rd： 玄咨铂冬贼讽浦箔霓叔马颖碌谁月螟斩淳诱杏庚童椭守扒篆鸽引挫醉粒钢模拟4模拟4 ⑤ 直流输入电阻RGS： 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。 ⑧ 最大漏极功耗PDM ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS 3.主要参数 扛永骆郭勋耐冲刘弄敌韭汰粳法汽幢伟挝死春鼎吉号悠京祭糟袱喷卓虐倔模拟4模拟4 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 增强型 耗尽型 耗尽型：没有加栅源电压时，就有导电沟道存在 增强型：没有加栅源电压时，没有导电沟道 傲眺蛀复竹浇糙尹胳臀设害皱柱娟威松橱它僚耀茎决昨印村留垢齿址昂页模拟4模拟4 4.3.1 N沟道增强型MOSFET 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 1. 结构 N沟道增强型 MOSFET P沟道