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第二章 门电路 本章主要内容： 1. 二极管和三极管的开关特性 2. TTL门电路和CMOS门电路 2.1 概述 1. 常用的门电路有: 与门, 或门, 非门, 与非门, 或 非门, 与或非门, 异或门, 同或门。 2. 在数字电路中, 用高、低电平分别表示二值逻辑 的1和0两种逻辑状态。 3.高低电平都有一个允许使用的范围, 如TTL电路 中: 高电平: 2.7~3.7v；低电平: 0~0.3 v。 4.若以输出的高电平表示逻辑1, 以低电平表示逻辑 0,则称这种表示方法为正逻辑. 反之,以H表 示0,L表示1, 则称为负逻辑. 本书中一律用正逻辑. 2.2 半导体二极管和三极管 的开关特性 2.2.1 二极管的开关特性 1. 二极管的单向导电性 二极管是由PN结构成的,其工作原理基于PN结的单向导电性,可用以下两种电路加以说明. (1) 二极管两端加正向电压时,外电场削弱内电场,产生多数载流子的扩散运动而形成正向电流. 2.2.1 二极管的开关特性 2.2.1 二极管的开关特性 (2) 二极管两端加反向电压时,外电场增强了PN结中的内电场,产生少数载流子的反向漂移运动而形成了反向电流,稳定后即为反向饱和电流i (详见P69式3.2.1)。 2.2.1 二极管的开关特性 2. 二极管的三种近似的伏安特性和等效电路 (1) Vcc和RL都很小时, Von和rD不能忽略, 其近似的伏 安特性如图(a) (P70): Von：正向导通压降 2.2.1 二极管的开关特性 (2) Von和Vcc相比不能忽略, rDRL, rD可以忽略时, 其近 似的伏安特性如图(b) 2.2.1 二极管的开关特性 (3) VonVcc且 rDRL时, Von和rD都可以忽略,其近似的 伏安特性如图(c) 2.2.1 二极管的开关特性 3. 二极管在动态(脉冲)工作情况下的性能 (1) V在t1时刻由反向突变为正向时,二极管中的电流要滞后于V一段时间 Δt才形成(这是因为PN结的内电荷梯度的建立需要一定的时间) (2) V在t2时刻由正向突变为反向时, i也突变且为瞬间的反向电流(这是PN结内部的存储电荷所致) 2.2.1 二极管的开关特性 2.2.2 三极管的开关特性 1. 双极型三极管(BJT)的开关特性 (1) BJT的结构 (P109) (2) BJT的输入特性和输出特性: 1) 在基极b和发射极e之间加入VBE，测出VBE和iB的关系曲线即为输入特性曲线，如下图(a)所示。 2) 在某个iB值下，测出C和E之间的电压、电流，即可得到输出特性曲线，如下图(b)所示。 2.2.2 三极管的开关特性 2.2.2 三极管的开关特性 2.2.2 三极管的开关特性 3) 输出特性曲线有三个区域： (a) 放大区: ic随ib成正比变化: ic= ib, (b) 饱和区: 2.2.2 三极管的开关特性 (3) BJT的基本开关电路: 用NPN型三极管组成的开关电路如下图所示: 2.2.2 三极管的开关特性 工作原理: 1) Vi=0, ib=0,ic=0. Vo=Vcc-Rc ·ic Vcc 即输入低电平时, BTJ 截止, 输出为高电平。 2) Vi=Vcc(或ViVon), BTJ的基极电流ib达到 2.2.2 三极管的开关特性 (4) 三极管的开关等效电路: 实用电路中的三极管开关电路如P113图3.5.5所示等效电路. 1) Vi=0时,三极管截止，开关完全断开，如图(a); 2) Vi=1时,三极管饱和导通，Vce 0, 但 Vbe 等效电路如图3.5.5(b)和(c), (c)中的Vcc应去掉。 (5) BJT的动态开关特性 (详见P114图3.5.6) 2.2.2 三极管的开关特性 2. MOS管的开关特性 (73页) (1) MOS管