山东大学模拟电路第1节复习.pptVIP

模拟电子技术 臧利林 山东大学控制科学与工程学院 TELEmail：llzang@sdu.edu.cn 本课程的学习方法 绪论 电子系统远信号 周期性方波信号 模拟信号和数字信号 数字信号 第一章 半导体器件基础 1.3 半导体三极管 一.BJT的结构 二．电流分配关系 (2)输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const 四. BJT的主要参数 3.极限参数 （3）反向击穿电压 1.4 三极管的模型及分析方法 半导体三极管的参数 ②极间反向电流 二.交流参数 ②特征频率fT ③反向击穿电压 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 半导体三极管的型号 双极型三极管的参数 谢谢！ 从直流参数、交流参数、 极限参数总结如下 ①直流电流放大系数 1.共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=常数 一.直流参数 2.共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE 显然 与 之间有如下关系: = IC/IE= IB/?1+ ?IB= /?1+ ? 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极， O是Open的字头，代表第三个电极E开路。 它相当于集电结的反向饱和电流。 2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向 饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应 的Y坐标的数值。 ①交流电流放大系数 1.共发射极交流电流放大系数? ?=?IC/?IB?vCE=const 在放大区? 值基本不变， 通过垂直于X 轴的直线 由?IC/?IB求得。 在输出特性曲线上求β 2.共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当ICBO和ICEO很小时， 可以不加区分。 三极管的?值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的?将会下降。当?下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。 ①集电极最大允许电流ICM 三极管集电极最大允许电流ICM。当IC＞ICM时，管子性能将显著下降，甚至会损坏三极管。 ②集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCB≈ICVCE， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中 在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。 三.极限参数 1.V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。 下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB 代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。 2.V(BR) EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。 3.V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的 击穿电压。 对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系 V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 材料 器件的种类 同种器件型号的序号 同一型号中的不同规格 三极管 参 数 型 号 P C M mW I C M mA VR CBO V VR CEO V VR EBO V I C B