电工第14章 二极管与晶体管备.pptVIP

电子学发展史 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 小结： (1)本征半导体中有两种载流子导电，自由电子和空穴，但载流子数目极少, 其导电性能很差。温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。 (2)本征半导体中加入五价杂质元素，便形成N型半导体。其中电子是多数载流子，空穴是少数载流子，此外还有不参加导电的正离子。 (3)本征半导体中加入三价杂质元素，便形成P型半导体。其中空穴是多数载流子，电子是少数载流子，此外还有不参加导电的负离子。 (4)杂质半导体中，多子浓度决定于杂质浓度，少子由本征激发产生，其浓度与温度有关。 14.2.1 PN结的形成 14.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 14.3 半导体二极管 14.3.1 基本结构 半导体二极管实物图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数 3.4二极管的电路模型 （补充） 二极管电路分析举例 复习： (1)本征半导体中有两种载流子导电，自由电子和空穴，但载流子数目极少, 其导电性能很差。温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。 (2)本征半导体中加入五价杂质元素，便形成N型半导体。其中电子是多数载流子，空穴是少数载流子，此外还有不参加导电的正离子。 (3)本征半导体中加入三价杂质元素，便形成P型半导体。其中空穴是多数载流子，电子是少数载流子，此外还有不参加导电的负离子。 (4)杂质半导体中，多子浓度决定于杂质浓度，少子由本征激发产生，其浓度与温度有关。 14.4 稳压二极管 3. 主要参数 14.5 晶体管 14.5.1 基本结构 14.5 晶体管 14.5.1 基本结构 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 14.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 半导体三极管应用 作业 14.3.2 14.3.4 14.4.2 14.5.1 14.5.4 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 通常定义为静态(直流)电流放大倍数。 称为动态(交流)电流放大倍数。 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 1、 的微小变化会引起 的较大变化； 2、 ， 是由 和 决定的。 晶体管处于放大区的特征： 3、 4、晶体管相当于通路。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 饱和区 截止区 （3）饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，?IB ?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V