模拟电路第3节.pptVIP

放大电路输出端接上负载电阻RL的电路（a）电路图 （b）交流通路 BJT小信号模型的简化 BJT在电路中有共射、共集、共基三种组态，根据相应的电路输出量与输入量之间的大小和相位关系，分别称之为反相电压放大器、电压跟随器和电流跟随器。 放大电路的分析方法有图解法和小信号模型分析法，前者承认电子器件的非线性，后者则将非线性特性局部线性化。通常使用图解法求Q点，而用小信号模型分析法求电压增益、输入电阻和输出电阻。 放大电路工作点不稳定的原因，主要由于温度的影响。常用的稳定工作点的电路是射极偏置电路，它是利用反馈原理来实现的。 频率响应与带宽是放大电路的重要指标之一。用混合π等效电路分析高频效应，而用含电容的低频等效电路分析低频响应，二者的电路基础是RC低通电路和RC高通电路。 多级放大电路电压增益的计算方法通常有：输入电阻法和开路电压法。 例 如图电路，若BJT为3DG6，已知在Q点上的β＝40，计算电压增益(假设信号源内阻Rs＝0)。 解：(1)确定Q点 已知β，可用简单计算法确定Q点： (2)求rbe (3)求 (1)计算输入电阻 根据KCL， 图中的b点: 输入电阻 的定义： 放大电路输入电阻为： 3．计算输入电阻和输出电阻 (2)计算输出电阻 输出电阻定义为： 故： 而： 讨论 一般地说，希望放大电路的输入电阻高一些为好，特别是在信号源内阻Rs较大的场合，这样可避免信号过多地衰减。作为放大电路的输入级尤其应当予以考虑。 以共射极基本放大电路为例，计算了它的输入电阻和输出电阻。 对于输出级来说，希望输出电阻越小越好，可以提高带负载的能力。 两种分析方法的比较与使用 ①用图解法定出静态工作点； ②当输入电压幅度较小或BJT基本上在线性范围内工作时，特别是放大电路比较复杂时，可用小信号模型来分析。 ③当输入电压幅度较大，BJT的工作点延伸到特性曲线的非线性部分时，就需要采用图解法，如功率放大电路。 如果要求分析放大电路输出电压的最大幅值是多少，或者要求合理安排电路工作点和参数以便得到最大的动态范围等，采用图解法比较方便。 3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.5.1 温度对工作点的影响 3.5.2 射极偏置电路 偏流与偏置电路 偏流——当电源电压VCC和集电极电阻Rc确定后，放大电路的Q点就由基极电流IB来决定，这个电流就叫做偏流。 偏置电路——获得偏流的电路叫做偏置电路。 固定偏流电路——由一个偏置电阻Rb构成的结构简单的电路，调试方便，只要适当选择电路参数就可保证Q点处于合适的位置。 3.5.1 温度对工作点的影响 工作点不稳定的原因： 电源电压变化； 电路参数变化； 管子老化，等等。 主要原因： BJT的特性参数(ICBO、VBE、β等)随温度变化造成的工作点不稳定。 对于硅管，三个参数均随温度而变化，但反向饱和电流ICBO的值很小，对工作点稳定性的影响较小。 硅管的VBE和 β受温度的影响较大。 BJT的电流放大系数β随温度的升高而增大。 BJT的输出特性将因β的变化而变化，当β变大时，输出特性曲线族的间隔将变宽。由于输出特性的变化，当β增大时，Q点上移，Ic增加;当β减小时，Q点下移，Ic减小。 ①ICBO、VBE、 β随温度T升高的结果，都集中表现在Q点电流IC的增大。 ②硅管的ICBO小，受温度的影响可以忽略，因此，VBE和β的温度影响，对硅管是主要的，但对工作在较高温度下的大功率硅管，ICBO的影响就不能忽略。 ③锗管的ICBO大，ICBO的温度影响对锗管是主要的。 几点结论： 3.5.2 射极偏置电路 减小BJT参数ICBO、VBE、 β随温度变化对Q点的影响，可采取两方面的措施： (1)针对ICBO的影响，可设法使基极电流IB随温度的升高而自动减小。 (2)针对VBE的影响，可设法使发射结的外加电压随着温度的增加而自动减小。 射极偏置电路 利用Rb1和Rb2组成的分压器以固定基极电位。 如果I1 IB(I1是流经Rb1和Rb2的电流)，可近似认为基极电位 电路稳定工作点的过程： 当温度上升时，IC(IE) 将增加，在Re上产生的压降IERe也要增加，IERe的增加部分回送到基极-发射极回路去控制VBE，外加于管子的VBE减小(VBE =VB—IERe，而VB又被Rb1和Rb2所固定)，VBE 的减小使IB自动减小，牵制了Ic的增加，从而使IC基本恒定。 实际情况下，为使Q点稳定，I1愈大于IB以及VB愈大于VBE愈好，但为兼顾其他指标，对于硅管，一般可选取 锗管： 例 试近似估算下图的Q点，并计算它的电压增益、输入电阻和输出电阻。 解：(1)确定Q点 由于 而 所以 利用上式可以分别求得Q点的IC、IB及VCE。 (2)求电压增益 射极旁路电容