MOS门电路_以MOS管作为开关元件构成的门电路.pptVIP

2.5.2 CMOS门电路 * * 　　MOS门电路：以MOS管作为开关元件构成的门电路。 MOS门电路，尤其是CMOS门电路具有制造工艺简单、集成度高、抗干扰能力强、功耗低、价格便宜等优点，得到了十分迅速的发展。 2.5 MOS 门电路 2.5.1 NMOS门电路 NMOS门电路全部由N沟道MOSFET构成。NMOS有增强型和耗尽型二种，其中增强型NMOS应用较多。 1．NMOS反相器 NMOS管的电路符号及转移特性 (a) 电路符号 （b）转移特性 D接正电源 截止 导通 导通电阻相当小 （1） NMOS管的开关特性 PMOS管的电路符号及转移特性 (a) 电路符号 （b）转移特性 D接负电源 （2）PMOS管的开关特性 导通 导通电阻相当小 截止 2．NMOS门电路 MOS管有NMOS管和PMOS管两种。 当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中，且二者在工作中互补，称为CMOS管(意为互补)。 　　MOS管有增强型和耗尽型两种。 在数字电路中，多采用增强型。 CMOS反相器 PMOS管 负载管 NMOS管 驱动管 开启电压|UTP|=UTN，且小于VDD。 1．CMOS反相器的工作原理 （1）基本电路结构 （2）工作原理 CMOS反相器 UIL=0V 截止 导通 UOH≈VDD 当uI= UIL=0V时，VTN截止，VTP导通， uO = UOH≈VDD CMOS反相器 UIH= VDD 截止 UOL≈ 0V 当uI = UIH = VDD ，VTN导通，VTP截止， uO =UOL≈0V 导通 （3）逻辑功能 　　实现反相器功能（非逻辑）。 　 （4）工作特点 　　VTP和VTN总是一管导通而另一管截止，流过VTP和VTN的静态电流极小（纳安数量级），因而CMOS反相器的静态功耗极小。这是CMOS电路最突出的优点之一。 CMOS反相器的电压传输特性和电流传输特性 3． 电压传输特性和电流传输特性 AB段：截止区 iD为0 BC段：转折区 阈值电压UTH≈VDD/2 转折区中点：电流最大 CMOS反相器 在使用时应尽 量避免长期工 作在BC段。 CD段：导通区 4. CMOS电路的优点 （1）微功耗。 CMOS电路静态电流很小，约为纳安数量级。 （2）抗干扰能力很强。 输入噪声容限可达到VDD/2。 （3）电源电压范围宽。 多数CMOS电路可在3～18V的电源电压范围 内正常工作。 　 （4）输入阻抗高。 　 （5）负载能力强。 CMOS电路可以带50个同类门以上。 （6）逻辑摆幅大。（低电平0V，高电平VDD ） 负载管串联 （串联开关） （1）． CMOS或非门 驱动管并联 （并联开关） CMOS或非门 A、B有高电平，则驱动管导通、负载管截止，输出为低电平。 1 0 截止 导通 2．CMOS门电路 该电路具有或非逻辑功能,即 Y=A+B 当输入全为低电平，两个驱动管均截止，两个负载管均导通，输出为高电平。 0 0 截止 导通 1 CMOS与非门 该电路具有与非逻辑功能，即 Y=AB （2）． CMOS与非门 负载管并联 （并联开关） 驱动管串联 （串联开关） （1）电路结构 　　C和C是一对互补的控制信号。 　　由于VTP和VTN在结构上对称，所以图中的输入和输出端可以互换，又称双向开关。 （3）． CMOS传输门 CMOS传输门 （a）电路 （b）逻辑符号 　　若 C =1（接VDD )、C =0（接地）， 　　当0＜uI＜(VDD－|UT|)时，VTN导通； 　　当|UT|＜uI＜VDD 时，VTP导通； 　　 uI在0~VDD之间变化时，VTP和VTN至少有一管导通，使传输门TG导通。 （2） 工作原理（了解） 　　若 C = 0（接地)、C = 1（接VDD ）， 　　uI在0~VDD 之间变化时，VTP和VTN均截止，即传输门TG截止。