从P型ZnO(InGaNGaN)多量子阱(n型GaN)发光二极管的电致发光发射.docVIP

从P型ZnO(InGaN/GaN)多量子阱（n型GaN）发光二极管的电致发光发射 对于紫外 - 可见光范围的发光器件，氮化镓（GaN）是一个非常有前途的材料， 其宽能隙（3.4 eV）的，高导热（1.31瓦/厘米K表），高击穿电场，高化学稳定性，高电子饱和速度。虽然，许多的努力一直致力于生长空穴浓度高的高品质的P型GaN,但是典型的p型GaN电阻率是1欧姆/厘米，这是远远高于电阻为0.01厘米/欧姆的N-GaN，导致在实现高效率氮化镓发光二极管的拖延。因此，用具有高空穴浓度以及适当的化学结构结构和光学性质的p型半导体层取代P-GaN层是必要的。近日，曾等al.6的报道N型掺杂的P-ZnO薄膜电阻为1.7欧姆/厘米。报道也称，Sb掺杂p型ZnO薄膜的电阻率可降至0.1欧姆/ cm.。此外，众所周知在有机金属化学气相沉积(MOCVD)生长的ZnO薄膜是沿c轴取向的有小到1.8％的平面晶格失配的纤锌矿结构。此外，ZnO的6.51_10?6 ?K的热膨胀系数跟GaN的5.59_10?6 ?K的热膨胀系数很接近。这些事实表明，P-氧化锌可以取代p型GaN作为一个空穴提供层用于GaN发光二极管。比如说，ZnO的电子亲和力比GaN的低0.15eV，导致空穴注入难度的降低。此外，ZnO2.0的折射率比GaN2.4的小，导致混合LED的光子逃逸概率的增加。 在本文中，通过在InGaN / GaN多量子阱LED涂覆Sb掺杂的p型ZnO层，混合LED被证明是可行的。混合发光二极管的正向电压和串联电阻的测量值分别为2.9 V和11.8。从混合LED中可以观察到一个波长为468纳米的蓝色电致发光（EL）光波。在1070°C氢气氛围中净化蓝宝石衬底，然后在570 °C.的低温环境下生长30纳米的GaN缓冲层。缓冲层经过高温退火，在1150 °C的温度下生长5微米的无掺杂的GaN层和2微米的Si参杂的n型GaN层。五对未掺杂的InGaN量子肼和InGaN量子肼在820 °C下生长3纳米，并且900 °C下在n型GaN层生长7纳米的无掺杂GaN阻碍层。在生长InGaN / GaN多量子阱后，样品被装入到ZnO的MOCVD的反应堆来生长Sb掺杂的ZnO层。Sb掺杂的ZnO层生长温度，压力，成长率doped分别为750°C，50托，和0.67微米/小时。二乙基锌、三甲基锑和氧气分别作为锌源，p型掺杂源和氧化剂。InGaN/ GaN量子肼上生长Sb掺杂的ZnO之后，在氮气环境下进行1分钟的快速热退火（RTA）来激活Sb掺杂的ZnO。 为了制作一个大小为300*300 微米2的混合LED，Sb掺杂的ZnO层部分被腐蚀在稀盐酸溶液，然后对LED进行腐蚀，直到通过使用甲烷/氯气/氢气/氩气的电感耦合等离子体源使n型GaN层暴露。使用Cr （30 nm） /Au （80 nm）作为一个混合LED的p型和n型电极。为了消除来自p型半导体NiO或氧化镍金合金的空穴注入的争议，在这篇文章中不使用已频繁用于P-ZnO欧姆金属接触的NiO或氧化镍金合金。为了对于电学和光学性质的比较性研究，参考没有电流扩散层的GaN LED和使用了厚度为200纳米的p型GaN层的LED。作为参考LED的p型和n型电极和混合LED相同。为了测量锑掺杂氧化锌的导电率，在C-蓝宝石上生长的厚度大约为1微米的Sb掺杂ZnO薄膜上用范德堡配置进行霍尔测量。Sb掺杂ZnO薄膜在氮气环境下使用退火过程退火1分钟。在700-850°C的温度范围内退火的Sb掺杂的ZnO层呗观察到p型导电。Sb掺杂的ZnO的空穴浓度从8*（10*17）cm-3到2*（10*18）cm-3，不断增加并且通过在700-850°C范围内增加退火温度空穴迁移率从1–0.1 cm2 V?1 s?1减小。进一步提高退火温度到900°C会导致空穴浓度下降。在更高的温度下空穴率下降是因为氧空位的点缺陷抵消了由Sb掺杂产生的空穴载流子。 为了探讨Sb掺杂的ZnO的光学性质，12 K温度下在退火温度为750°C未掺杂的ZnO薄膜和Sb掺杂的ZnO薄膜上进行光致发光测量。He-Cd激光的光致发光测量的激发波长和功率分别是325 nm 和 30 mW。正如图1所示，观察到主要在未掺杂的ZnO层（方点线）的光致发光谱有中性施主束缚激子的发射能量为3.367 eV。然而，中性的受子束缚激子发射的能量为3.316 eV，并且它们的声子副峰主要在Sb掺杂ZnO层（实心线）的光谱上，而中性施主束缚激子的发射明显的收到了限制。在As 或Sb掺杂的p型ZnO观察到受主束缚激子的峰值，并且从n型ZnO观察到受子束缚激子的发射。这些结果和热退火过程之后显示的Sb掺杂的ZnO层的p型导电性很符合。图2（a）和2（b）显示，在MOCVD上生长的典型的Sb掺杂的p型ZnO薄膜由约5