(数电重修复习课件)存储器、复杂可编程逻辑器和现场可程门阵列.pptVIP

(数电重修复习课件)存储器、复杂可编程逻辑器和现场可程门阵列.ppt

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(数电重修复习课件)存储器、复杂可编程逻辑器和现场可程门阵列

7.2.4 存储器容量的扩展 1. 字长(位数)的扩展 通常RAM芯片的字长为1位、4位、8位、16位和32位。当实际的存储器系统的字长超过RAM芯片的字长时,需要对RAM实现位的扩展。 习题一 分析下图所示电路,①试说明#1存储器和#2存储器分别在什么条件下被选中;②以16进制形式分别写出#1存储器和#2存储器的地址范围;③该存储系统字节长度是多少? 答案 ①A11 A10 A9A8=1001 #1存储器选中,A11 A10 A9A8=1110 #2存储器选中; ②#1存储器900H——9FFH,#2存储器E00H——EFFH ③存储系统字节长度为8bit。 习题二 试确定下列电路中RAM芯片的寻址范围 P296参考书 习题三 试分析所示由4位双向移位寄存器CT74LS194及8选1数据选择器CT74LS151构成的电路。试画出寄存器的状态转移图,给出Z的输出序列信号。 CT74LS151输出函数 Y=ΣmiDi (i=0,1,2,…, 7) 1111(Y=D7=0左移,SL=0)→1110(Y=D6=0左移,SL=0)→ 1100(Y=D6=0左移,SL=1)→ 1001(Y=D5=0左移,SL=1)→ 0011(Y=D1=1置数,SL=0)→ 1111 Z={00110} 是否应给出初态S0=1? 习题四 下图所示电路,(1)芯片(Ⅰ)和(Ⅱ)的计数模值各为多少?级间采用了哪些连接方式?(2)分别作出芯片(I)和(Ⅱ)的状态表(或状态图)。(3)如果该电路作为分频器使用,则芯片(Ⅱ)的OC端输出脉冲和CP的分频比为多少? ①②芯片(Ⅰ)1100 → 1101 → 1100 计数模值为2芯片(Ⅱ)0011 → 0100 → 0101 → 0110 → 0111→ 1000 → 1001 → 1010 → 1011 → 1100 → 1101 → 1110→ 1111 → 0011计数模值为13 ③分频比为2x13=26 习题五 由移位寄存器74LS194和3-8译码器组成的时序电路如附图所示。分析该电路。 ⑴列出该时序电路的状态迁移表(设起始状态为Q3Q2Q1Q0 =0110)。 ⑵指出该电路输出端Z产生什么序列。 0110--1100--1001--0011--0110 * 图中看出,谐波次数越高,幅值分量越小,对原波形的贡献越小,所以在一定条件下可忽略高次谐波。 * 此处说明电压电流等为什麽用相量形式. * 等效电路由三个基本元件构成 存储器、复杂可编程逻辑器 和现场可编程门阵列 7.1 只读存储器 7.2 随机存取存储器 7.3 复杂可编程逻辑器件 *7.4 现场可编程门阵列 *7.5 用EDA技术和可编程器件的设计例题 教学基本要求: 掌握半导体存储器字、位、存储容量、地址、等基本概念。 掌握RAM、ROM的工作原理及典型应用。 了解存储器的存储单元的组成及工作原理。 概 述 半导体存贮器能存放大量二值信息的半导体器件。 可编程逻辑器件是一种通用器件,其逻辑功能是由用户通过对器件的编程来设定的。它具有集成度高、结构灵活、处理速度快、可靠性高等优点。 存储器的主要性能指标 取快速度——存储时间短 存储数据量大——存储容量大 7.1 只读存储器 7.1 .1 ROM的 定义与基本结构 7.1.2 两维译码 7.1.3 可编程ROM 7.1.4 集成电路ROM 7.1.5 ROM的读操作与时序图 7.1.6 ROM的应用举例 存储器 RAM (Random-Access Memory) ROM (Read-Only Memory) RAM(随机存取存储器): 在运行状态可以随时进行读或写操作。 存储的数据必须有电源供应才能保存, 一旦掉电, 数据全部丢失。 ROM(只读存储器):在正常工作状态只能读出信息。 断电后信息不会丢失,常用于存放固定信息(如程序、常数等)。 固定ROM 可编程ROM PROM EPROM E2PROM SRAM (Static RAM):静态RAM DRAM (Dynamic RAM):动态RAM 7.1 只读存储器 几个基本概念: 存储容量(M):存储二值信息的总量。 字数:字的总量。 字长(位数):表示一个信息多位二进制码称为一个字, 字的位数称为字长。 存储容量(M)=字数×位数 地址:每个字的编号。 字数=2n (n为存储器外部地址线的线数) 只读存储器,工作时内容只能读出,不能随时写入,所以称为只读存储器。(Read-Only Memory) ROM的分类

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