电路与电子_半导体二极管三极管场效应管.pptVIP

+10V 1kΩ IC -2V 5kΩ IB +10V 1kΩ IC +2V 5kΩ IB (c) (b) （2）因为基极偏置电源-2V小于管子的导通电压，管子的发射结反偏，管子截止，所以管子工作在截止区。 （3）因为基极偏置电源+2V大于管子的导通电压，故管子的发射结正偏,管子导通，电流: 因为ICICS，所以管子工作在放大区。 作业： 4-12、 4-14、 4-16 4.4 场效晶体管 (FET) 场效晶体管与双极型晶体管不同，它是电压控制元件，输出电流取决于输入电压，不需要信号源提供电流；输入电阻高（可达109Ω—1015Ω ），温度稳定性好。 耗尽型 增强型 （PMOS管） （NMOS管） P沟道 N沟道 绝缘栅型 MOS管 结型 JFET管 P沟道 N沟道 （PMOS管） （NMOS管） 分类: （六种类型） P沟道 N沟道 4.4.1 绝缘栅场效应管 ⑴结构和符号 P型衬底 绝缘栅场效应管是一种金属(M)-氧化物(O)-半导体(S)结构的场效应管，简称为MOS（Metal Oxide Semiconductor）管 金属铝电极 两个N+区 P N+ N+ G(栅极) S(源极) D(漏极) 1.Ｎ沟道增强型MOS管 SiO2绝缘层 Ｎ沟道 G S D 增强型NMOS管 栅极 漏极 源极 b 衬底 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。 P沟道增强型MOS管结构图 G S D 增强型PMOS管 栅极 漏极 源极 b 衬底 N P+ P+ G S D UGS 0 感应出电子，出现以电子导电的N型导电沟道 ⑵ 工作原理 UDS UGS P N+ N+ G S D UGS=0时 ID=0 UGSUT ID≠0 ①当UGS = 0时 , UDS≠0， 但ID = 0。 UDS一定，UGS值越大，电场作用越强，导电的沟道越宽，沟道电阻越小，ID就越大。 开启电压UT (UGS(th) ②当UGSUT , UDS≠0时 , UGS ↑ →ID ↑。 S D ⑶ 输出特性 I D(mA) Ⅰ区 Ⅱ区 Ⅲ区 UGS=5V 4.5V 4V 3.5V 3V 2.5V (UT) 0 2 4 6 8 UDS(V) 2 5 4 1 3 ②恒流区（ Ⅱ区）： UGS＞UT，UDS较大时， UGS一定，则ID不变（恒流）。用跨导gm来表示UGS对ID的控制作用。 ①可变电阻区（Ⅰ区）： UGS＞UT，UDS很小 场效应管相当于一个压控电阻 UGD=UGS－VDS＞UT 时 ③截止区：UGS≤UT 电流ID=0管子处于截止状态。 ④击穿区（Ⅲ区）:当UDS太大时，PN结反向击穿， 使ID急剧增加，会造成管子损坏。 12 ID(mA) 4 UT 0 2 4 6 8 UGS(V) 8 2 6 UDS=常数 ⑷ 转移特性 其中IDSS是UGS=2UT 时的ID值 2.Ｎ沟道耗尽型MOS管 G S D 耗尽型NMOS管 栅极 漏极 源极 b 衬底 G S P N+ N+ D 预埋了导电沟道 I D(mA) 3V 2V 1V UGS= 0V -1V -2V 0 4 8 12 14 UDS(V) 4 10 8 2 6 Ⅰ区 Ⅲ区 Ⅱ区 -4 -2 0 2 4 UGS(V) ID(mA) 4 UP 8 2 6 UDS=常数 耗尽型NMOS管输出特性 耗尽型NMOS管转移特性 UP (UGS(off))——夹断电压 UGS = UP (UGS(off)) 时，导电沟道消失，ID≈0 UGS↑→沟道加宽→ID↑， UGS↓→沟道变窄→ID↓ 1. 场效应管的特点 （1）在场效应管中，沟道是唯一的导电通道，导电过程只有一种极性的多数载流子，为单极型管； （2）场效应管是通过栅源UGS电压来控制电流ID，为压控元件； （3）场效应管输入电阻大，输出电阻高； （4）场效应管的跨导gm的值小； （5）漏源极可互换使用； （6）有较高的热稳定性。 4.4.2 场效应管的特点和主要参数 2.场效应管的主要参数 ⑴ 直流参数 ①输入电阻RGS ②耗尽型MOS管的夹断电压UP (UGS(off) )， ③增强型MOS管的开启电压UT (UGS(th) )， ④漏极饱和电流IDSS。 ⑶