模拟电子技术基础简明教程（第3版）.pptVIP

一、 三极管的结构 三个区 发射区： 杂质浓度很高 基 区： 杂质浓度低且很薄 集电区： 无特别要求 发射结 集电结 集电区 基区 发射区 c b e NPN型三极管的结构和符号 两个PN结 发射结 集电结 三个电极 发射极 e 基极 b 集电极 c 集电极 c collector 基极 b base 发射极 e emitter N P N Rb Rc VBB VCC e c b 发射极电流 二、三极管中载流子的运动和电流分配关系 发射: 发射区大量电子向基区发射。 2. 复合和扩散： 电子在基区中复合扩散。 3. 收集： 将扩散过来的电子收集到集电极。 同时形成反向饱和电流ICBO 。 IE IC IB ICN IEN IBN ICBO 集电极电流 基极电流 Rb Rc VBB VCC e c b IE IC IB ICN IEN IBN ICBO IC = ICn + ICBO IE = ICn + IBn IC = α IE + ICBO 当ICBO IC时，可得 ≈ IC IE α IEn = ICn + IBn IE = IEn IE = IC + IB 将 代入IC = ICn + ICBO 得 ICn α = IE 通常将 定义为共基直流电流放大系数。 β ≈ IC IB IE = IC + IB IC = α IE + ICBO 代入 得 IC = α α 1 - IB + α 1 - 1 ICBO β = α α 1 - 令 可得 IC = β IB +（1+ ）ICBO β IC = β IB + ICEO 当ICEO IC时，可得 β 称为共射直流电流放大系数。 ICEO =（ 1+ β ）ICBO IE = IC + IB IC ≈ βIB IE =（ 1+ β ）IB ICEO称为穿透电流。 各参数含义： ：共基直流电流放大系数。 ：共射直流电流放大系数。 α = ICn IE ICEO =（1+ ）ICBO β ：集电极与发射极间穿透电流。 β = ΔiC Δ iB α = ΔiC Δ iE ：共基交流电流放大系数。 ：共射交流电流放大系数。 β 1+β α = β = α 1-α α 和 β 满足 或 β = IC - ICEO IB ≈ IC IB 三、三极管的特性曲线 1. 输入特性 iB=f（uBE） uCE= 常数 uCE=0V uCE=2V 当uCE大于某一数值后，各条输入特性十分密集， 通常用uCE 1 时的一条输入特性来代表。 uBE/V iB/μA O 三极管的输入特性 uBE iB + - uCE=0 VBB Rb b e c 三极管的输入回路 2. 输出特性 iC/mA O uCE/V iB=80μА 60 40 20 0 iC=f(uCE) iB=常数 饱和区 放 大 区 截止区： iB ≤ 0的区域，iC ≈ 0 ， 发射结和集电结都反偏。 3. 饱和区： 发射结和集电结都正偏，uCE较小，iC 基本不随iB 而变化。 当uCE = uBE 时，为临界饱和；当uCE uBE 时过饱和。 截止区 2. 放大区： 发射结正偏，集电结反偏ΔiC = βΔiB 发射结反向偏置, 集电结反向偏置, 三极管工作在截止区, 可调换 VBB 极性。 发射结反向偏置, 三极管工作在截止区, 可调换 VCC 极性, 或将VT更换为PNP型。 两PN结均正偏,三极管工作在饱和区。 [例1.3.1] 判断图示各电路中三极管的工作状态。 0.7V VT 0.3V Rb Rc VCC VBB VT Rb Rc VCC VT VBB = iB Rb + uBE iB iC iB = 46.5 μA β iB = 2.3 mA 假设三极管饱和， UCES = 0.3 V 则 ICS = VCC - UCES Rc = 4.85 mA β iB ICS 假设不成立， 三极管工作在放大区。 或者 iC = β iB = 2.3 mA uCE = VCC - iC Rc = 5.4 V 发射结正偏集电结反偏， 三极管工作在放大区。 Rb Rc VCC VBB VT 2k 200k 10V 10V β=50 VBB = iB Rb + uBE iB iC iB = 465 μA β iB = 23 mA 假设三极管饱和， UCES = 0.3 V 则 ICS = VCC - UCES Rc = 4.85 mA β iB ICS 假设成立， 三极管工作在饱和区。 或者 iC = β iB = 23 mA uCE