信号与系统-第三章场效应管及其放大电路.ppt

模拟电子技术 关于栅源电压的控制作用 JFET沟道电阻的大小受其栅源电压的控制， 可以看成是一个电压控制的可变电阻器。 图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号 (a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号 ( c ) D G S B uGS可正可负。 图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号 (a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号 式中：IDSS——饱和电流，表示uGS=0时的iD值； UGSoff——夹断电压，表示uGS=UGSoff时iD为零。 恒流区中： 　可见：公式形式与结型场效应管相同。 场效应管的类型： 场效应管FET 结型场效应管 JFET 绝缘栅场效应管IGFET或MOSFET 增强型MOSFET 耗尽型MOSFET 另外：每一种场效应管又有N沟道和P沟道之分。 小结：各种场效应管的符号与特性 各种场效应管的符号： D G S D G S N 沟道 P 沟道 JFET 图示：各种场效应管的符号对比1 图示：各种场效应管的符号对比2 恒流区，栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用： JFET或 耗尽型MOSFET： 增强型MOS管： i D u G S U G S off 0 I DSS I D0 U G S th 结型 P 沟 耗尽型 P 沟 增强型 P 沟 MOS 耗尽型 N 沟 增强型 N 沟 M