第6节 半导体存储器.pptVIP

半 导 体 存 储 器 * 数字电子技术 半导体存储器和可编程逻辑器件 多级存储器体系结构 80x86的存储器系统 连接实例 存储器扩展 各种存储器 概述 第6章　半导体存储器 存储器结构框图： 左图列出了当前有代表性的半导体存储器件的结构以及由它们所组成的32行x32列的矩阵和外部的连接。 6.1 概 述 6.1.1 存储器系统 当前常见的半导体存储器的规格 内存大小 存储器件规格 每列中芯片数 每行中芯片数 芯片总数 4K ╳ 8 4K ╳ 16 （双字节） 16K ╳ 8 64K ╳ 8 1K ╳ 1 4K ╳ 1 256 ╳4 1K ╳ 4 1K ╳ 1 4K ╳ 1 256 ╳4 1K ╳ 4 1K ╳ 1 4K ╳ 1 256 ╳4 1K ╳ 4 16K ╳ 1 64K ╳ 1 4 1 16 4 4 1 16 4 16 4 2 1 4 1 8 8 2 2 16 16 4 4 2 8 8 8 8 8 32 8 32 8 64 16 64 16 32 32 16 8 32 8 计算机的存储器可分为: 1. 内部存储器，简称为内存或主存。 2 外部存储器，简称为外存。 6.1.2 半导体存储器的分类 存储器就是用来存储信息的部件，正是因为有了存储器， 计算机才有了对信息的记忆功能。 6.1.3 半导体存储器的性能指标 微型计算机系统中,内存是用半导体存储器件来构成的, 人们习惯把存储器件简称为存储器。 半导体存储器的性能指标： 1. 易失性 2. 只读性 3. 位容量 4. 速度 5. 功耗 6. 可靠性 7. 价格 6.2 各种存储器 6.2.1 只读 ROM 只读存储器 ROM (Read Only Memory)是指其一旦有了信息，就不能 轻易改变，也不会在掉电时丢失，它们在计算机系统中是只供读出的存储 器。 ROM器件的优点： 1. 结构简单，所以位密度比可读/写存储器高。 2. 具有非易失性，所以可靠性高。 计算机系统中，一般既有RAM模块，也有ROM模块。 ROM 模块中常常用来存放： 系统启动程序和参数表 存放常驻内存的监控程序或者操作系统的常驻内存部分 存放字库或者某些语言的编译程序及解释程序。 1. 掩膜型 ROM 或者简称为 ROM 2. 可编程的只读存储器 PROM 3. 可擦除可编程的只读存储器 EPROM 4. 可用电擦除的可编程的只读存储器 E2 PROM 5.闪速存储器 ROM 可以分为五种： 1. 静态随机存储器 (SRAM)： 6.2.2 半导体存储器(RAM) 2114外引线图 SRAM 采用触发器电路构成1个二进制位信息的存储单元。 2114 SRAM 的容量是 1024 ╳ 4 = 4KB 片选引脚CS，当其为低电平时，该片被选中。 数据的输入和输出采用双向数据总线，I/O1 ~ IO4 是4根数据引线。 读写控制引脚R/W，当其为高电平时，对选中的单元进行读出；当其为低电平时，对选中的单元进行写入。 单向地址总线A0 ~ A9，共10根地址引脚。可以在210 = 1024个单元中任选一单元。 1 2.动态随机存储器 (DRAM)： 动态随机存储器的存储单元采用电容存储信息，由于电容存在漏电，所以需要 对电容进行定期刷新。 1脚为－5V电源 9 脚为+5V电源 8 脚为+12V电源 16脚为地 5~7脚和10~13脚为地址线 2脚为数据输入 14脚为数据输出 3脚为读写使能控制 4脚为行地址选通信号，低电平有效。 15脚为列地址选通信号，低电平有效。 2116外引线图 2116电路结构框图: 2116的存储矩阵由128x128的单管动态存储单元组成，需要14位地址码（214 = 16 384），它分为低7位的行地址码和高7位的列地址码。 在实际制造时,为减少芯片的引脚数，2116 只设置了7条地址线 A0 --- A6 ,它将14位地址码分作两次从7条地址线送入到行地址锁存器和列地址锁存器中。当A0 --- A6 地址线上为低7位行地址码时，行地址码选通信号RAS为有效低电平，将行地址锁存到行地址锁存器中；当地址线上A0 --- A6 为高7位列地址码时，列地址选通信号 CAS 为有效低电平，将列地址锁存到地址锁存器中。再经行、列地址译码器进行译码，选中128 ╳ 128存储矩阵中某个存储单元工作。 动态RAM除了要求配置刷新