第二篇 电力电子器件3.pptVIP

* IGBT安全工作区：正向偏置安全工作区（FBSOA）和反向偏置安全工作区（RBSOA） 正向偏置安全工作区（FBSOA) —导通工作状态的参数极限范围：最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定 反向偏置安全工作区（RBSOA）（表示驱动电压为0或负值时器件关断瞬态的限制区域）—阻断工作状态的参数极限范围：最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率duCE/dt确定 2.8.4 IGBT的擎住效应和安全工作区 2.8.6 IGBT的应用特点 2.8.6 IGBT的应用特点 IGBT是性能理想的中大容量的中高速电压控制型器件 在通流能力方面，IGBT综合了电力MOSFET和GTR的导电特性（在1/2或1/3额定电流以下时，GTR压降起主要作用，当电流较大时功率MOSFET的压降起主要作用） 由于IGBT包含双极性导电机构，其开关速度受制于少数载流子的复合，与电力MOSFET相比有较长的尾部电流时间 GTO：管压降较大，容量较大（通流和耐压能力）， fs较低，只能用于工频场合，电流驱动，驱动电路复杂（所有全控型器件中最复杂），驱动电流很大。 GTR：电流驱动，容量中等，管压降较低，开关频率中等，驱动较复杂 IGBT：与GTR比，容量和管压降差不多，但是fs明显增加，开通损耗也更小。 MOSFET： fs最高，但是通流容量较小，承受电压较低 各类全控型器件的总结 * * 产品说明中通常给出的是直流电流增益hFE * * 那么，GTR正常工作时，必须不能超过最高工作电压Ucem，集电极最大电流ICM和PCM，并且不能超过二次击穿临界线。由这些电压、电流、功耗允许值所限定的电压、电流工作范围称为安全工作区。 只要晶体管在其安全工作区内工作，就不会损坏，其性能不会退化，结温也不会超过额定值，有高度可靠性。 另外，还要注意，温度改变对安全工作区的影响是不容忽视的。 * 非电力MOS管，即全部电极都集中在芯片的一个表面。限定用于小信号电路，特别是集成电路中。 这种结构的导通电阻较大，所以电流定额不会设计太高。 电力管，通常是源极和栅极同在上表面，漏极独占全部下表面 * 国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET采用了六边形单元 西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元 摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列 不管结构怎么变，名称怎么改，垂直导电的思想没有变。VDMOS和VVMOS这两种基本结构形式没变。 这里主要介绍VDMOS。下图给出N沟道增强型VDMOS基本结构的断面示意图，以及其电气图形符号。 * 国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET采用了六边形单元 西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元 摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列 不管结构怎么变，名称怎么改，垂直导电的思想没有变。VDMOS和VVMOS这两种基本结构形式没变。 这里主要介绍VDMOS。下图给出N沟道增强型VDMOS基本结构的断面示意图，以及其电气图形符号。 * 从断面图上可以看到栅极与附近两个N区被绝缘体SiO2绝缘隔开，所以G被称为绝缘栅极。图中一个P型区代表一个单元，图中画出两个单元的典型平面断面图。一个真实器件往往由数万个以上的单元组成，并且在结构上是立体交错互连的。 靠近G极处被G极正电位所吸引的电子数超过该处的空穴数以后，栅极下面原空穴多的P型半导体表面就变成电子数目多的N型半导体表层。G极下由栅极正电位所形成这个N型半导体表层感生了大量的电子载流子。它是一个电子浓度很高的沟道（称为N沟道），这个沟道将G极两边的N区连在一起。电子从N+源区经此水平沟道流入N-外延区后，即在漏-源电压驱使下向漏极竖直漂移，形成漏极电流ID。 * 从断面图上可以看到栅极与附近两个N区被绝缘体SiO2绝缘隔开，所以G被称为绝缘栅极。图中一个P型区代表一个单元，图中画出两个单元的典型平面断面图。一个真实器件往往由数万个以上的单元组成，并且在结构上是立体交错互连的。 靠近G极处被G极正电位所吸引的电子数超过该处的空穴数以后，栅极下面原空穴多的P型半导体表面就变成电子数目多的N型半导体表层。G极下由栅极正电位所形成这个N型半导体表层感生了大量的电子载流子。它是一个电子浓度很高的沟道（称为N沟道），这个沟道将G极两边的N区连在一起。电子从N+源区经此水平沟道流入N-外延区后，即在漏-源电压驱使下向漏极竖直漂移，形成漏极电流ID。 * 从断面图上