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真空中的高斯定理: 介质中的高斯定理: 以平板电容器为例: +q -q + + + + + + - - - - - - - - - - - - + + + + + + q′ E P §7-9 介质中的高斯定理,电位移矢量 +q -q + + + + + + - - - - - - - - - - - - + + + + + + q′ E P 定义:电位移矢量 有介质时的高斯定理 代入得 介质中的高斯定理: 在任何静电场中,通过任意闭合曲面的电位移通量等于该曲面所包围的自由电荷的代数和。 说明: (1)介质中的高斯定理有普适性。 (2)包含了真空中的高斯定理。 真空中: 所以: (3)电位移矢量 是一个辅助量。描写电场的基本物理量是电场强度 。 (4)电场中也可人为地画一系列 (电位移线),从正的自由电荷出发;终止于负的自由电荷。不同于电场线( 线) 线起止于任何正负电荷 与 的关系 对于各向同性的线性电介质: ?r 称为:相对介电常数 或 ? 称为:介电常数 注: 是定义式,普遍成立。 只适用于各向同性的均匀介质。 真空中: 介质中: 电容(以平板电容为例) : 结论: 介质中的场强 E比真空中的场强 Eo小。而有介质电容器的电容 C比真空电容器的电容Co大。 计算电介质中场强的步骤: 1、根据介质中的高斯定理计算出电位移矢量。 2、根据电场强度与电位移矢量的关系计算场强。 * 电势梯度与电场强度的关系 导体的静电平衡性质 电场特性 1、导体内部的场强处处为零。导体表面的场强垂直于导体的表面。 2、导体内部和导体表面处处电势相等,整个导体是个等势体。 带电特性 1、在静电平衡下,导体所带的电荷只能分布在导体的表面,导体内部没有净电荷。 2、处于静电平衡的导体,其表面上各点的电荷密度与表面邻近处场强的大小成正比。 3、静电平衡下的孤立导体,其表面处面电荷密度?与该表面曲率有关,曲率(1/R)越大的地方电荷密度也越大,曲率越小的地方电荷密度也小。 + + + + + + + + A §7-7 电容器的电容 一、孤立导体的电容 一孤立导体A(附近无其他物体影响)带电量为q 其电势: 其比值只决定于导体大小形状与q ,U无关 P 定义:孤立导体所带电量Q与其电势U的比值。 单位(SI):法拉“F” 1F= 1C·V-1 真空中孤立导体球的电容: + + + + + + + + A R 非孤立导体带同样电量q (附近其他物体影响)其电势U随D的位置及带电情况不同而改变,其电容 利用静电屏蔽原理消除其它导体的影响,如图用一个封闭的导体B包围A ,则AB间的电势差不受其它物体的影响 B + + + + + + + + A D + + + 二、电容器 电容器: 一种储存电能的元件。是由电介质隔开的两块任意形状导体组合而成。两导体称为电容器的极板。 极板电量q与极板间电势差?U之比值。 电容器的符号: 电容器电容: B A 说明: 2、q为任一极板所带的电量的绝对值, 取正值 1、C在数值上等于升高单位电压所需要增加的电量, 反映电容器贮存电荷本领的大小的物理量。 3、C与q 的多少无关,只由电容器本身的性质决定 4、电容器除了贮存电荷之外还有很多应用,如交流电路中电流和电压的控制,发射机中振荡电流的产生,接收机中的调谐,整流电路中的滤波等 5 、表征电容器性能好坏的物理量还有额定工作电压值 计算电容器电容的步骤: 2、计算极板间的场强E 3、计算极板间的电势差 4、由电容器电容定义计算C 1、假设电容器两极板带等量异号电荷 1、平板电容器(板面线度远大于d ) d + + + + + - - - - - B A -Q +Q E S 电容: 设两极板带等量异号电荷Q l RA RB 2、圆柱形电容器 高斯定理: h r 设内外圆筒带等量异号电荷+Q,-Q 圆柱形电容器电容: 设极板间距为d时, RB = RA +d 当d RA时 3、球形电容器 RA RB 设内外球带等量异号电荷Q +Q - Q 理论和实验证明 充满介质时电容 真空中电容 相对介电常数 一些电介质的相对介电常数 102~104 钛酸钡 2.6 聚苯乙烯 3.5 纸 2.2 石蜡 2.3 聚乙烯 5~10 玻璃 7.6 电木 5.7~6.8 普通陶瓷 80 纯水 100 二氧化钛 3~6 云母 1.000585 空气 11.6 氧化钽 3 变压器油 1 真空 ?r 电介质 ?r 电介质 ?r 电介质 * 电介质电容器 四、电容器的连接 1、电容器的并联 总电量 : 等效电容: 并联电容器的等效电
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