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最新电大《光伏检测与分析》形考作业任务01-04网考试题及答案 100%通过 考试说明：《光伏检测与分析》形考共有4个任务。任务1至任务4是客观题，任务1至任务4需在考试中多次抽取试卷，直到出现01任务_0001、02任务_0001、03任务_0001、04任务_0001试卷，就可以按照该套试卷答案答题。做考题时，利用本文档中的查找工具，把考题中的关键字输到查找工具的查找内容框内，就可迅速查找到该题答案。本文库还有其他教学考一体化答案，敬请查看。 　　　01任务 01任务_0001 一、单项选择题（共 10 道试题，共 20 分。） 1. 缓冲剂一般是（ ）。 A. 强酸强碱 B. 弱酸弱碱 C. 弱酸 D. 弱碱 2. 一般认为利用金属与半导体的点接触整流原理来测量导电类型的方法适用于室温电阻率在（ ）的硅单晶。 A. 小于1000Ω?cm B. 1～1000Ω?cm C. 大于1000Ω?cm D. 以上皆不是 3. 目前国内外广泛采用（ ）测量半导体硅单晶电阻率。 A. 两探针法 B. 四探针法 C. 扩展电阻法 D. 范德堡法 4. 用冷热探笔法测量（ ）半导体时，冷端带正电，热端带负电。 A. P型 B. N型 C. PN型 D. 以上皆不是 5. 半导体器件厂就是用一定型号的（ ）来生产出所需要的半导体元件。 A. 单晶 B. 多晶 C. 非晶 D. 以上皆不是 6. 漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷（ ）。 A. 大 B. 小 C. 一样大小 D. 未知 7. （ ）是半导体中最主要的缺陷，它属于线缺陷。 A. 空位 B. 位错 C. 层错 D. 杂质沉淀 8. （ ）是最简单的点缺陷。 A. 空位 B. 填隙原子 C. 络合体 D. 外来原子 9. 三探针法属于利用半导体的（ ）来测量导电类型的方法。 A. 温差电效应 B. 整流效应 C. 以上二种皆可 D. 以上二种皆不可 10. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。 A. 点缺陷 B. 线缺陷 C. 面缺陷 D. 微缺陷 二、多项选择题（共 10 道试题，共 30 分。） 1. 国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有（ ）。 A. 冷热探笔法 B. 三探针法 C. 单探针点接触整流法 D. 冷探笔法 2. 半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有（ ）。 A. 星形结构 B. 杂质析出 C. 系属结构 D. 点缺陷 3. 高频光电导衰退法的优点主要有（ ）。 A. 样品无需切割成一定的几何形状 B. 测量时不必制作欧姆电极 C. 样品较少受到污染 D. 应用广泛 4. 陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（ ）。 A. 使整个样品加底光照 B. 加底光照后用氙灯闪光进行照射 C. 将硅单晶加热到50～70℃ D. 将硅单晶加热到60～80℃ 5. 半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的（ ）有直接影响。 A. 太阳能电池的光电转换效率 B. 晶体管的放大倍数 C. 开关管的开关时间 D. 太阳能电池的填充因子 6. 半导体硅的常用腐蚀剂主要有（ ）。 A. Sirtl腐蚀液 B. Dash腐蚀液 C. Wright腐蚀液 D. Shimmel腐蚀液 7. 直流光电导衰退法的缺点主要有（ ）。 A. 对样品有几何形状和几何尺寸的要求 B. 要求制备符合一定要求的欧姆接触 C. 测量下限较高 D. 仪器线路比较复杂 8. 高频光电导衰退法的缺点主要有（ ）。 A. 仪器线路比较复杂 B. 干扰比较大 C. 测试方法比较简单 D. 依靠电容耦合 9. 半导体晶体缺陷中的微观缺陷主要有（ ）。 A. 点缺陷 B. 位错 C. 层错 D. 杂质沉淀 10. 稳态法测量非平衡少数载流子寿命，主要采用的方法有（ ）。 A. 光电导衰退法 B. 扩散长度法 C. 光磁法 D. 光脉冲法 三、判断题（共 10 道试题，共 20 分。） 1. 漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷大得多，而数量上少两个数量级。 A. 错误 B. 正确 2. 半导体的陷阱中心数量是变化的。 A. 错误 B. 正确 3. 硅单晶在不同腐蚀液中，P型硅的电极电位比N型硅的高。 A. 错误 B. 正确 4. 用冷热探笔法测量N型半导体时，冷端带负电，