电子元器件采购需求.DOCVIP

附件：元器件采购需求如下表 序号 产品名称及规格 需求数量 技术指标 1 BM3803FMGRH型SPARC V8辐照加固微处理器 抗总剂量1× 103 Gy（Si）； 单粒子锁定（SEL）阈值75MeV·cm2/mg； 单粒子错误率：GEO轨道优于×10-5次/天·器件 三温测试合格 2 B54ACS164245SARH型辐射加固多用途双向收发器 B54ACS164245SARH 为性能提升的多用途双向收发器，为一种通用电路，具 有双向异步通信、信号缓冲、电平转换、冷备份电路保护（Cold Sparing）、温备 份电路保护（Warm Sparing）及上电保护功能。 5V 总线到 3.3V 总线；5V 总线到 5V 总线； 3.3V 总线到 5V 总线；3.3V 总线到 3.3V 总线； ? 冷备份： 电路关断状态时，IO 端等效为高阻抗； ? 温备份： 电路单端电源上电时，IO 端等效为高阻抗； ? 上电保护 ? 采用0.5um CMOS 工艺 ? 总剂量：100K rad(Si) ? 抗单粒子闩锁：LET ≥ 75MeV?cm2/mg ? 高速低功耗 ? 施密特触发输入端，更好的电平噪声抑制 封装：引脚陶瓷扁平封装（CFP48） 质量等级 CAST 3 B54AC08RHF型辐射加固四路2输入与门 B54AC08RH 是一款辐射加固四路2 输入与门，具有驱动能力高、功耗低、 高可靠性等特点，与NSC、STM 公司DIP、FP 封装的54AC08 产品兼容 电源电压范围：+2.0 V～6.0 V 工作温度范围：-55℃ ～125℃ 输出驱动：24mA 抗总剂量：≥ 100k rad（Si） 抗单粒子锁定LET： ≥ 75MeV·cm2/mg 抗单粒子翻转LET： ≥ 75MeV·cm2/mg ESD 等级：2000V 封装形式： FP14（B54AC08RHF） 质量等级 CAST 4 B54AC138RHF型辐射加固3-8线译码器 B54AC138RH 是一款辐射加固3-8 线译码器，具有驱动能力高、功耗低、高 可靠性等特点，与NSC、STM 公司DIP、FP 封装的54AC138 产品兼容 电源电压范围：+2.0 V～6.0 V 工作温度范围：-55℃ ～125℃ 输出驱动：24mA 抗总剂量：≥ 100krad（Si） 抗单粒子锁定LET： ≥ 75MeV·cm2/mg 抗单粒子翻转LET： ≥ 75MeV·cm2/mg ESD 等级：2000V 封装形式： FP16（B54AC138RHF） 质量等级 CAST 5 B54AC14RHF型辐射加固六路施密特触发输入反相器 B54AC14RH 是一款辐射加固六路施密特触发输入反相器，具有驱动能力高、 功耗低、高可靠性等特点，与NSC、STM 公司DIP、FP 封装的54AC14 产品兼 容。 电源电压范围：+2.0 V～6.0 V 工作温度范围：-55℃ ～125℃ 输出驱动：24mA 抗总剂量：≥ 100k rad（Si） 抗单粒子锁定LET： ≥ 75MeV·cm2/mg 抗单粒子翻转LET： ≥ 75MeV·cm2/mg ESD 等级：2000V 封装形式： FP14（B54AC14RHF） 质量等级 CAST 6 B54AC32RHF型辐射加固四路2输入或门 B54AC32RH 是一款辐射加固四路2 输入或门，具有驱动能力高、功耗低、 高可靠性等特点，与NSC、STM 公司DIP、FP 封装的54AC32 产品兼容 电源电压范围：+2.0 V～6.0 V 工作温度范围：-55℃ ～125℃ 输出驱动：24mA 抗总剂量：≥ 100k rad（Si） 抗单粒子锁定LET： ≥ 75MeV·cm2/mg 抗单粒子翻转LET： ≥ 75MeV·cm2/mg ESD 等级：2000V 封装形式： FP14（B54AC32RHF） 质量等级 CAST 7 B54AC245RHF型辐射加固八位三态输出双向缓冲器 B54AC245RH 是一款辐射加固八位三态输出双向缓冲器，具有驱动能力高、 功耗低、高可靠性等特点，与NSC、STM 公司DIP、FP 封装的54AC245 产品 兼容。 电源电压范围：+2.0 V～6.0 V 工作温度范围：-55℃ ～125℃ 输出驱动：24mA 抗总剂量：≥ 100k rad（Si） 抗单粒子锁定LET： ≥ 75MeV·cm2/mg 抗单粒子翻转LET： ≥ 75MeV·cm2/mg ESD 等级：2000V 封装形式： FP20（B54AC245RHF） 质量等级 CAST 8 B65170S6RH型辐射加固1553B总线远程终端控制器1553B总线接口逻辑、协议处理逻辑、存储器管理逻辑、中断处理逻辑、双通道收发器以