花盆缺水告器电路设计.docVIP

电工电子工艺实习报告 花盆缺水告知器电路设计 学院：电气工程学院 班级：生物医学工程 学号： 姓名： 电力电子装置设计---花盆缺水告知器电路设计 第一章：任务设计书 1.1 设计课题： 本次电力电子设计装置的题目是《花盆缺水告知器电路设计》 1.2 设计目的： 1.进一步了解和掌握555时基电路和结型场效应管 2.重点理解由555电路构成的低频多谐振荡器的结构，原理 3.掌握多谐振荡器的使用方法 设计要求 根据课题正确选择电路形式 2．绘制完整的电气原理图（包括只要的电气控制部分） 3.详细介绍整体电路和各功能部件工作原理 4.编制使用说明书 第二章：主电路及原理简介 2．1 结型场效应管的工作原理 因为本电路设计主要需要使用N沟道结型场效应管，所以，主要介绍N沟道结型场效应管。 场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。 它不仅具有双极型三极管的体积小,重量轻,耗电少,寿命长等优点,而且还具有输入电阻高,热稳定性好,抗辐射能力强,噪声低,制造工艺简单,便于集成等特点.因而,在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用.根据结构和工作原理不同,场效应管可分为两大类: 结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。 在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区（N区一般做得很薄），形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两个P区连起来，就构成了一个场效应管。从N型区引出的两个电极分别为源极S和漏极D，从两个P区引出的电极叫栅极G，很薄的N区称为导电沟道。 结型场效应管分类：N沟道和P沟道两种。如下图所示为N沟道管的结构。 1.N沟道结型场效应管工作时，需要外加如图1所示的偏置电压，即在栅-源极间加一负电压（Ugs0）））①结型场效应管栅极与沟道之间的PN结是反向偏置的，因此，栅极电流Ig≈0，输入阻抗很高。②漏极电流手栅-源电压Ugs控制，所以场效应管是电压控制电流器件。③预夹断前，即Uds较小时，Id与Uds间基本呈线性关系;预夹断后，Id趋向饱和。 4：555时基集成电路的工作原理和主要应用 555电路在应用和工作方式上一般可归纳为3类。每类工作方式又有很多个不同的电路。在实际应用中，除了单一品种的电路外，还可组合出很多不同电路，如：多个单稳、多个双稳、单稳和无稳，双稳和无稳的组合等。 ．多谐振荡器的工作原理 　　多谐振荡器是能产生矩形波的一种自激振荡器电路，由于矩形波中除基波外还含有丰富的高次谐波，故 称为多谐振荡器。多谐振荡器没有稳态，只有两个暂稳态，在自身因素的作用下，电路就在两个暂稳态之 间来回转换，故又称它为无稳态电路。 　　由555定时器构成的多谐振荡器如图所示，R1，R2和C是外接定时元件，电路中将高电平触发端（6脚） 和低电平触发端（2脚）并接后接到R2和C的连接处，将放电端（7脚）接到R1，R2的连接处。 由于接通电源瞬间，电容C来不及充电，电容器两端电压uc为低电平，小于（1/3）Vcc，故高电平触发 端与低电平触发端均为低电平，输出uo为高电平，放电管VT截止。这时，电源经R1，R2对电容C充电，使 电压uc按指数规律上升，当uc上升到（2/3）Vcc时，输出uo为低电平，放电管VT导通，把uc从（1/3）Vcc 上升到（2/3）Vcc这段时间内电路的状态称为第一暂稳态，其维持时间TPH的长短与电容的充电时间有关 。充电时间常数T充=（R1＋R2）C。由于放电管VT导通，电容C通过电阻R2和放电管放电，电路进人第二暂稳态.其维持时间TPL的长短与电 容的放电时间有关，放电时间常数T放＝R2C0随着C的放电，uc下降，当uc下降到（1/3）Vcc时，输出uo。 为高电平，放电管VT截止，Vcc再次对电容c充电，电路又翻转到第一暂稳态。不难理解，接通电源后，电 路就在两个暂稳态之间来回翻转，则输出可得矩形波。电路一旦起振后，uc电压总是在（1/3～2/3）Vcc 之间变化。图（b）所示为工作波形。