使用蒙特卡罗光子模拟法对发光二极管的分析.doc

使用蒙特卡罗光子模拟法对发光二极管的分析 Song Jae Lee 蒙特卡洛光子模拟法基于对芯片内光子的统计追踪，已经作为一种成熟的LED分析法在大多数情况下被使用。同时，这种分析法还包含有对经常用于提高光输出功率的表面结构的实际建模。这种方法凭借其独特的灵活性适用于模拟各种结构和尺寸芯片的诸多重要参数，如光子输出耦合效率，光子的精确运行数据，光子输出分布格局。据推测，这种方法可以很容易的被用来拓展LED灯和LED组件的发展。?2001 美国光学学会 卷期号：230.3670, 230.0230 1.介绍 因为一些发光二极管（LED）的发光效率已经大大超过未过滤的白炽灯，广泛认为LED技术将在发光领域取代白炽灯1。LED技术因此可以总的视为成熟。然而，LED的设计却仍然主要仰赖直觉，而且很可能没有被充分优化；光输出功率还有很大的提高空间。在LED中，在有源区产生的光子一般随机定向，并且，芯片耦合输出的大小很容易受到光子发射方向的影响。因而，从某种意义上说，LED的分析和设计相比于光子运行模式由腔体模式所精确确定的激光二极管（LD）的分析和设计，可能不是一个简单的任务。 通常，LED使用逃逸锥面模型进行分析2,3。然而，这种模型仅限于定性分析。此外，这种方法有诸多的限制条件，尤其是当芯片的几何结构较复杂时。例如，使用非共振腔LED时，粗糙的表面或变形的芯片几何形状，都不易用逃逸锥法分析4-6。本文我们将探讨可以克服逃逸锥面模型的种种限制并可以适用于几乎所有几何形状芯片的蒙特卡洛光子模拟法方法。事实上，蒙特卡洛光子模拟法经过广泛的验证，在过去的几十年中，它被广泛的用于解决各种问题，例如在放射性材料中的中子传递问题和半导体材料中的电子传递问题7。蒙特卡洛光子模拟法独特的通用性使得修改LED的分析和设计变的更为简单。基本上，蒙特卡洛光子模拟法是基于芯片中光子的统计规律，并且模拟结果通常具有相当的可行性。此外，蒙特卡洛光子模拟法还可以脚容易的合并复杂的光子传播模型。在我们的分析中包含有光子在一种特殊表面纹理上的反射模型，这种表面纹理常常用于高亮LED以提高光耦合输出和光提取效率。我们相信具有独特通用性的蒙特卡洛光子模型法将使LED灯和LED器件的设计变的更为简单。 2.LED结构分析的原理 典型的LED灯和LED器件的概略结构如图1所示。光子在有源区激发后，除非在内部被吸收，否则会入射到芯片外壁，如图2(a)所示。光子反射系数ГTE和ГTM（分别为横向电场和横向磁场极化方向）由下式给出： 其中，ns和ne分别为芯片半导体材料和密封环氧树脂的折射率，θi和θt分别为光子入射角和折射角。角θi和θt相互之间符合斯涅耳定律： 实际上，大多数LED中，ns通常要大于ne。因此，如果入射角θi大于临界角θc， 此时，ГTE和ГTM的幅值相一致，意味着出现所谓的全内反射。ГTE光子和ГTM光子的透过率分别为ГTE和ГTM，由下式给出： 其中RTE=|ГTE|2和RTM =|ГTM|2分别为偏振光TE和TM的光反射系数。在LED中，偏振光的光子在到达壁垒时一般是随机的。因为任意的光子极化方向可以表达为TE极化方向和TM极化方向的线性组合，任意极化方向的光子的反射率R可以由下式得: 其中，δTM是TM的极化因子，由极化向量在入射面上的投影得到。图2（b）说明典型情况下光子透射率为变量，而光子反射角θi为函数。请注意，由于布儒斯特角现象，TM极化的透射率总是大于TE极化。 较大幅度的光子传输窗口在入射角到θc之间，θc将会导致逃逸锥的出现。如图3(a)。如果不同半导体材料层之间的折射率差异较小，LED芯片可以被认为大致具有相同的折射率ns。这样，六个逃逸锥（芯片的每个面有一个）具有相同的立体角Ωc,又下式表示: 在芯片为具有扁平表面的长方或立方形时，光子一旦从溢出锥发射出来就会不断的发生全内反射，被困在椎体内，如图3(b)。被困住的那部分光子，ηtrap，可以由下式大致得出： 在AlGaAs和InGaAlP系统中，ηtrap大约为70%，ne≈1.5，ns≈3.5；在InGaN系统中ηtrap大约为40%。有这样大的一部分被困光子最终被吸收掉，外部量子效率将受到严重限制。使得被困光子发射出逃逸锥的方法之一是使芯片表面粗糙化，如图3(c)4,8。光子经过粗糙表面的入射后其将会表现出随机轨迹，其中的一些就有可能离开芯片，无论其飞行方向是怎样的。 在LED灯中，LED芯片处于被圆顶形的折射率为ne的环氧密封材料包裹住的状态。在这种情况下，光子的输出耦合效率ηc可以由下式大约表示： 其中，ηtrap是光子离开芯片进入环氧树脂的概率，函数: 是正入射光子在环氧树脂—空气界面的透射率。正入射情况非常的合理，尤其是当环氧树脂密封圆顶的尺寸远大于芯片和加