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一、填空题（本大题共14小空，每小空2分，共28分） 1．晶闸管是四层三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和 极。门 2．一只额定电流为100A的普通晶闸管，其允许通过的电流有效值为 A。157 3．具有自关断能力的电力电子器件称为 器件。全控型 4．三相全控桥式整流电路中，采用共阴极组接法的三只晶闸管，要求其触发脉冲以1200为间隔，依次在电源电压的 半周触发各晶闸管。正 5．在考虑变压器漏抗影响时，整流电路输出电压的平均值将 。减小 6．三相全控桥式整流电路输出的电压波形在一个周期内脉动 次。6 7．采用时间比控制方式改变斩波器负载两端的平均电压，对斩波器触发脉冲的调制方法有三种，分别是 ； ； 。脉冲宽度调制；脉冲频率调制；调频调宽混合控制 8．降压斩波器中，电源电压Ud=50V，导通比为0.8，则负载电压平均值ULD为 。40V 9．电流型逆变电路直流侧为 ，输出电流波形为 。电流源；矩形波 10．根据调制脉冲的极性，PWM也有两种调制方式，分别是 和 调制。单极性；双极性 1、GTO的全称是 ，图形符号为 ；GTR的全称是 ，图形符号为 ；P-MOSFET的全称是 ，图形符号为 ；IGBT的全称是 ，图形符号为 。 33、门极可关断晶闸管、大功率晶体管、功率场效应管、绝缘门极晶体管。 2、GTO的关断是靠门极加 出现门极 来实现的。 33、负信号、反向电流。 3、大功率晶体管简称 ，通常指耗散功率 以上的晶体管。 34、GTR、1W。 4、功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是 和 。 35、电流不够大、耐压不够高。 1、普通晶闸管内部有 PN结,，外部有三个电极，分别是 极 极和 极。 1、两个、阳极A、阴极K、门极G。 2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上 电压的同时，门极上加上 电压，晶闸管就导通。 2、正向、触发。 3、、晶闸管的工作状态有正向 状态，正向 状态和反向 状态。 阻断、导通、阻断。 4、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为 ，50表示 ，7表示 。 4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。 5、只有当阳极电流小于 电流时，晶闸管才会由导通转为截止。 5、维持电流。 6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值 会 。 减小。 7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为 性负载， 性负载和 负载三大类。 7、电阻、电感、反电动势。 8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会 ，解决的办法就是在负载的两端 接一个 。 减小、并接、续流二极管。 9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角 、电流波形不连续、呈 状、电流的平均值 。要求管子的额定电流值要 些。 9、小、脉冲、小、大。 10、单结晶体管的内部一共有 个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是 极、 极和 极。 10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。 11、当单结晶体管的发射极电压高于 电压时就导通；低于 电压时就截止。 11、峰点、谷点。 12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压 ，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的 被触发，才能得到稳定的直流电压。 12、同步、时刻。 13、晶体管触发电路的同步电压一般有 同步电压和 电压。 13、正弦波、锯齿波。 14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用 与一个或几个 的叠加，利用改变 的大小，来实现移相控制。 14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。 15、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止 损坏晶闸管的。 15、关断过电压。 16、为了