章二极管和晶体管.pptxVIP

1 半导体的导电性;14.1.1 本征半导体;(1-3);(1-4);硅和锗的共价键结构;(1-6);(1-7);1、本征半导体的结构;(1-9);(1-10);(1-11);14.1.2 N型半导体和P型半导体;N型半导体;空穴;杂质半导体的示意表示法;(1-16);;;扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。;;14.2.2 PN结的单向导电性;PN结正向偏置;PN结反向偏置;1、基本结构;(1-25);(1-26);2、伏安特性;3、主要参数;例1：二 极 管：死区电压=0 .5V，正向压降 ＝0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 反向电阻为无穷大。;例2：二极管的应用(设RC时间常数很小）;§14.4 稳压二极管;3、主要参数;例：稳压二极管的应用;;§14.5 晶体管（三极管）;;;发射结;14.5.2 电流分配和放大原理;;静态电流放大倍数;14.5.3 特性曲线; IB 与UBE的关系曲线（同二极管）;（2）输出特性(IC与UCE的关系曲线);输出特性;输出特性三个区域的特点:;例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？;IC;(1-49