数字电技术基础第三章 门电路.ppt

3.1 概述 门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、与非门、或门 ······ 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性 三、二极管的等效电路 3.3 分立元件门电路 3.3.1 二极管与门 3.2.3 二极管或门 二极管构成的门电路的缺点 电平有偏移 带负载能力差 只用于IC内部电路 3.3 CMOS门电路3.3.1MOS管的开关特性 一、MOS管的结构 以N沟道增强型为例： 二、输入特性和输出特性 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区 恒流区 可变电阻区 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区：VGSVGS(th)，iD = 0, ROFF 109Ω 漏极特性曲线（分三个区域） 恒流区： iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大 漏极特性曲线（分三个区域） 可变电阻区：当VDS 较低（近似为0）， VGS 一定时， 这个电阻受VGS 控制、可变。 三、MOS管的基本开关电路 四、等效电路 五、MOS管的四种类型 增强型 耗尽型 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 二、电压、电流传输特性 三、输入噪声容限 问题： CMOS可以通过何种方式来提高噪声容限？ 3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 一、输入特性 二、输出特性 二、输出特性 3.3.5 其他类型的CMOS门电路 一、其他逻辑功能的门电路 二、漏极开路的门电路（OD门） 三、 CMOS传输门及双向模拟开关 1. 传输门 四、三态输出门 三态门的用途 双极型三极管的开关特性 （BJT, Bipolar Junction Transistor） 一、双极型三极管的结构 管芯 + 三个引出电极 + 外壳 以NPN为例说明工作原理： 二、三极管的输入特性和输出特性 三极管的输入特性曲线（NPN） 三极管的输出特性 三、双极型三极管的基本开关电路 工作状态分析： 图解分析法： 四、三极管的开关等效电路 六 、三极管反相器 三极管的基本开关电路就是非门 实际应用中，为保证 VI=VIL时T可靠截止，常在 输入接入负压。 例3.5.1：计算参数设计是否合理 例3.5.1：计算参数设计是否合理 将发射极外接电路化为等效的VB与RB电路 当 当 又 因此，参数设计合理 3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 设 二、电压传输特性 二、电压传输特性 二、电压传输特性 需要说明的几个问题： 三、输入噪声容限 3.5.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性 例：扇出系数（Fan-out）， 试计算门G1能驱动多少个同样的门电路负载。 3.5.5其他类型的TTL门电路 一、其他逻辑功能的门电路 1. 与非门 2. 或非门 二、集电极开路的门电路 1、推拉式输出电路结构的局限性 ① 输出电平不可调 ② 负载能力不强，尤其是高电平输出 ③ 输出端不能并联使用 OC门 2、OC门的结构特点 OC门实现的线与 三、三态输出门（Three state Output Gate ,TS） 三态门的用途 本章总的要求： 掌握TTL和CMOS集成门电路输出与输入间的逻辑关系、外部电气特性，包括电压传输特性、输入特性、输出特性和动态特性等； 掌握各类集成电子器件正确的使用方法。 输入 输出 3.与或非门 OFF ，截止状态 ON，导通状态 大量正离子 导电沟道 1. 与非门 2.或非门 2. 双向模拟开关 3.5 TTL门电路3.5.1 半导体三极管的开关特性 基区薄 低掺杂 发射区高掺杂 集电区低掺杂 当VCC VBB be 结正偏, bc结反偏 e区发射大量的电子 b区薄，只有少量的空穴 bc反偏，大量电子形成IC VON ：开启电压 硅管，0.5 ~ 0.7V 锗管，0.2 ~ 0.3V 近似认为: VBE VON iB = 0 VBE ≥ VON iB 的大小由外电路电压，电阻决定 固定一个IB值，即得一条曲线