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GD Solar Confidential 报告人：刘红伟 前后清洗培训报告 腐蚀量对应的深度情况： HF-HNO3对硅片的化学腐蚀因子为8.82， 前清洗总腐蚀深度3.5～4.5μm 后清洗总腐蚀深度1～2μm 电导率与浓度的对应关系 产线各种药液来料浓度情况(EL级) 质量分数（溶质/溶质+溶剂）： HF: 49% HNO3: 65% HCl: 37% NaOH: 20% 电子化学试剂按照纯度分为UP—S级、UP级、EL级三个等级。 UP-S级:适用0.35-0.8微米集成电路加工工艺,金属杂质含量小于1ppb（10亿分之一）。UP级:适用1微米集成电路及TFT-LCD制造工艺,金属杂质含量小于10ppb。标准 EL级:金属杂质含量小于100ppb,控制1微米粒径粒子, 适合中小规模集成电路及电子元件加工工艺 如何对后清洗漏电进行分析 打磨后 　 Isc Uoc RshuntDfDr RserIEC891 Eta FF IRev2 打磨前 8.402 0.608 10.56 3.61 16.14 76.89 1.51 打磨后 8.392 0.607 24.93 3.48 15.93 76.09 0.815 对外观不良进行分析 1、不良产生位置 2、分析可能产生原因和机器 3、进行模拟实验 4、找到根源解决问题 1、做好点检工作，保证产线参数稳定性