LTPS程与技术发展.ppt

第8章 LTPS製程與技術發展 前言 低溫多晶矽薄膜電晶體液晶平面顯示器(Low Temperature Poly-Silicon Thin Film Transistor，LTPS TFT LCD)，乃指其TFT中之半導體薄膜的結晶形態是多結晶(Polycrystalline)，並非是非結晶(Amorphous)的。 Poly-Si/α-Si特性比較 α-Si TFT LCD的結構簡單化和畫面高精細化。 P-Si TFT LCD是崁入不同功能的IC於玻璃基板上，減少模組工程上所使用IC的數量，換言之，模組接點減少，可靠度提升。 LTPS TFT LCD的特點 LTPS TFT LCD的特點，還有 載體的移動度(Mobility)為非晶矽的300倍 低耗電 高亮度 高解析度 輕薄短小 高品質 完美的系統整合 LTPS TFT LCD的前段製程 陣列電路設計(1) LTPS TFT周邊電路的設計必須崁入主陣列電路，整合於同一片基板玻璃上 可以減少半導體零組件的使用數量 可以減少後段工程組合時接著點的數目 使結構簡單化和工程可靠度提高 陣列電路設計(2) 整體電路設計時，應考慮低耗電量 耗電量的值(P)是與 頻率(f) 電容(C) 電壓平方(V2)成比例關係 陣列電路設計(3) 電容值減低的對策 信號線(Busline)的線幅寬細線化 TFT的小型化 低電壓的對策 使啟動電壓減低，唯一方法是開發出新的驅動法並使驅動電壓減低 頻率減低的對策 使相對應於影像畫面產生變化，促使驅動頻率變化，達到低耗電化 陣列電路設計(4) 以一般TFT通道寬度(52μm)和通道長度(12μm)，及閘氧化膜的厚度tox=3,500A為代表性元件。 陣列電路製程(1) 大部分TFT LCD製造公司之LTPS TFT-LCD製程，是採行 頂部閘極(Top-Gate)的TFT電路結構 互補式金氧半(CMOS)的驅動電路設計 目前主流製程是需5道光罩 陣列電路製程(2) Poly-Si薄膜形成方法，有 IC製程的高溫製程法 使用的玻璃基板材料是耐熱性優且價格較貴的石英玻璃(Quartz)(尺寸限於150mm/200mm) 利用雷射退火技術的低溫製程法 使用與α-Si TFT相同的不含鹼性離子之玻璃基板 陣列電路製程(3) 高溫製程或低溫製程的使用，取決於矽薄膜形成之源極和汲極工程中之摻雜(Doping)工程而定。 陣列電路製程(4) 與α-Si TFT製程相比較，大部分的步驟是相類似的 Poly-Si TFT的特徵，有 低溫雷射退火的結晶化技術(Laser Annealing Crystallization) 低溫摻雜汲極技術(Lightly Doping Drain，LDD) 氫化處理技術(Hydrogen eration) 陣列電路製程(5) 氫化處理的目的在於 使矽原子的未結合鍵或未飽和鍵，能與氫原子結合而使其呈飽和狀態 可獲得高的載體移動度 使電子訊號的傳送速度變快 動態畫質顯示清晰明亮。 標準化製作過程(1) 標準化製作過程約需要六項光罩步驟。 陣列電路設計工程：包含有 TFT陣列電路圖案(Pattern) 彩色濾光片圖案 配向膜圖案 封合圖案等規劃與設計 標準化製作過程(2) 光罩製作工程： 使用電子束描繪裝置(Electron Beam Lithography System)製作出主光罩(Master Mask) 再利用微影技術(Lithography)複製工程用光罩網版 標準化製作過程(3) 透明玻璃基板加工工程： 一定尺寸規格要求所做的切割加工 表面精密度和平坦度的要求所進行的研磨加工 標準化製作過程(4) 洗淨工程：分為 陣列工程前 液晶胞工程前 液晶胞工程後等三大類 標準化製作過程(5) 矽薄膜形成工程： 在玻璃或石英玻璃上，TFT電路通道(Channel)部分的形成方法，是使用濺鍍(Sputtering)裝置和低壓化學氣相沉積(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LP-CVD)裝置，將α-Si薄膜堆積於上 再利用結晶化退火技術的加熱爐退火法或雷射光雷射退火，將其多結晶化處理 標準化製作過程(6) 微影曝光工程： 利用輥輪被覆式(Roll Coater)或旋轉被覆式(Spin Coater) 塗佈光阻劑於光罩基板(Mask Blank)後作烘焙處理(Baking) 將光罩基板上的膜面圖案予以曝光微影和顯影處理，形成所需要的圖案 標準化製作過程(7) 蝕刻工程： 在CF和TFT基板上，形成之金屬膜、絕緣膜和半導體膜等過程中作為光罩圖案 所使用的光阻劑必須利用乾式(Dry)或濕式(Wet)蝕刻裝置進行加工處理，再利用濕式剝離裝置(Wet-Type Resist Stripping System)將所