第1讲 绪论 半导体基础知识 二极管.pptVIP

清华大学华成英hchya@tsinghua.edu.cn 模拟电子技术基础 本课程是入门性质的技术基础课 第一章 半导体二极管及其基本电路 教学基本要求： 掌握二极管和晶体管的外特性和主要参数 第一章 半导体二极管和晶体管§1.1 半导体基本知识一、本征半导体：纯净，晶体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 §1.2 晶体二极管 一、组成 ：将PN结封装，引出两个电极，就构成二极管。 从二极管的伏安特性可以反映出：  1、单向导电性 三、二极管的等效电路1、将伏安特性折线化 例1.3.1 设二极管电路如图1.3.6（a）所示，，图（b）是它的习惯画法。对于下列两种情况，求电路的静态工作点，即求ID和UD的值：（1）VDD=10V；（2）VDD=1V。在每种情况下，应用理想模型、恒压降模型和折线模型求解。 例1.3.2 某限幅电路如图1.3.7（a）所示，R=1K，VREF=3V。（1）ui=0v、4V、6V时，求相应的输出电压的值；（2）当ui=6sinωt时，绘出相应的输出电压的波形。 四、二极管的主要参数 最大整流电流IF：最大平均值 最大反向工作电压UR：最大瞬时值 反向电流 IR：即IS 最高工作频率fM：因PN结有电容效应 图1.2.14 光电二极管的伏安特性 * 共价键 载流子 两种载流子参与导电，导电性很差，且随温度升高而增强。 绝对温度0K时不导电。 N型半导体 P型半导体 多数载流子 磷（P） 硼（B） 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。 因浓度差而产生的运动称为扩散运动。 因电场作用所产生的运动称为漂移运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。 扩散运动 漂移运动 PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。 PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。 几十μA 0.1~0.3V 0.1V 锗Ge 1μA以下 0.5~0.8V 0.5V 硅Si 反向饱和电流 导通 电压 开启 电压 材料 二、伏安特性 2、伏安特性受温度影响 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 理想 二极管 近似分析中最常用 2、微变等效电路 Q越高，rD越小。 在一直流电压和电流的基础上的低频小信号下的等效电路。 结电容为扩散电容与势垒电容之和。 扩散路程中电荷的积累与释放 空间电荷区宽窄的变化有电荷的积累与释放 例1.2.1 电路如图所示，二极管导通电压约为0.7V，试分别估算开关断开和闭合时输出电压值。 1.4.1稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样，稳压二极管伏安特性曲线的反向区、符号和典型应用电路如图所示。 图 01.14 稳压二极管的伏安特性 (a)符号 (b) 伏安特性 (c)应用电路 (c) (a) 图示 (b) 一、 稳压二极管的伏安特性 从稳压二极管的伏安特性曲线上可以确定稳压二极管的参数。 (1) 稳定电压UZ —— (2) 动态电阻rZ —— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。 rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 rZ =?UZ /?IZ 二、 稳压二极管的主要参数 (3) 最大耗散功率 PZM —— 稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时PN结的功率损耗为 PZ= UZ IZ，由 PZM和UZ可以决定IZmax。 (4) 最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作 电流IZmin ————— 稳压管的最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即PZmax =UZIZmax 。而Izmin对应UZmin。 若IZ＜IZmin则不能稳压。 (5)稳定电压温度系数——?VZ 温度的变化将使UZ改变，在稳压管中当?UZ? ＞7 V时，UZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。 当?U