第2节 摄像机.ppt

第2章 摄像机 2.1 CCD摄像机 2.2 摄像机的配套设备  2.1 CCD摄像机 20世纪80年代，电荷耦合器件CCD(Charge Coupled Devices)制成的固体摄像机已经付诸实用。固体摄像机的寿命很长，能够经受强烈的震动而不损坏，工作电压又很低，体积小重量轻，而且均匀性好，几乎没有几何失真。由于这些突出的优点，现在CCD固体摄像机几乎完全代替了视像管摄像机。 2.1.1 CCD的基本原理 1.势阱 图2―1所示的MOS结构，是由P型半导体、二氧化硅绝缘层和金属电极组成的。在电极上未加电压之前如图2―1（a）所示，P型半导体中的空穴均匀分布。当栅极G上加正电压UG时，栅极下面的空穴受到排斥，从而形成一个耗尽层，见图2―1(b)。当UG数值高于某一临界值Uth时，在半导体内靠近绝缘层的界面处，将有自由电子出现，形成一层很薄的反型层， 反型层中电子密度很高，通常称为沟道，如图2―1(c)所示。这种MOS电极结构与MOS场效应管不同之处是没有源极与漏极，因此即使栅极电压脉冲式突变到高于临界值Uth，反型层也不能立即形成，这时，耗尽层将进一步向半导体深处延伸。 耗尽层的深度可想象成势阱的概念，当注入电子形成反型层时，加在耗尽层上的电压将要下降，把耗尽层想象成一个容器(阱)，这种下降可看成向阱内倒入液体，势阱中的电子不能装到边沿。 2.电荷的转移(耦合) 图2―2表示一个四相CCD中电荷的转移。在图2―2（a）中，Φ1是2V，Φ2～Φ4是10V,所以Φ2～Φ4下面的势阱很深，电荷存在里面。在图2―2(b)中，Φ2由10V变为2V，Φ2下面的势阱变浅，所有的电荷转移到Φ3、Φ4下面的势阱中，结果如图2―2(c)所示。在图2―2(d)中，Φ1由2V变为10V，原来在Φ3、Φ4下面的势阱中的电荷向右转移分布到Φ3、Φ4、Φ1下面的势阱中，结果如图2―2(e)所示，这整个的过程就是Φ2～Φ4下面的势阱中的电荷转移到Φ3、Φ4、Φ1下面的势阱中。 ? 图2―3是三个电荷包在四相时钟Φ1～Φ4驱动下向前转移的示意图。 图2―3上部是四相时钟Φ1～Φ4的波形，图2―3下部左边一列是电极。所有标志为Φ1的电极应全部连在一起接到Φ1波形的驱动线上；同样，标志为Φ2、Φ3、Φ4的电极应相应地各自连在一起并接到Φ2、Φ3、Φ4的波形驱动线上。 t1时刻三个电荷包的位置如其下面标号为1、2、3的矩形所示，由四相时钟驱动，逐步向下移动，t2～t14各个时刻的电荷包位置如其下面标号为1、2、3的矩形所示，在t9时刻，电荷包1转移到原来电荷包2的位置，电荷包2转移到原来电荷包3的位置……CCD中的电荷就这样在四相时钟的驱动下向前转移。 CCD中的电荷就这样在四相时钟的驱动下向前转移。 3. 面阵CCD的三种基本类型 CCD作为摄像机中的光电传感器，必须能接受一幅完整的光像，所以CCD必须排列成二维阵列的形式，称为面阵CCD。面阵CCD的每列都是一个如前所述的线阵CCD移位寄存器，而列之间有由扩散形成的阻挡信号电荷的势垒，该势垒叫做沟阻，可以防止电荷从与转移方向相垂直的方向流走。面阵CCD有下面三种基本类型： 1)帧转移型(FT型，Frame Transfer) 帧转移型面阵CCD如图2―4(a)所示。摄像器件分为光敏成像区和存储区两部分。在场正程期间，在光敏成像区积累信号电荷；在场消隐期间，由垂直CCD移位寄存器把信号电荷全部高速传送到存储区，存储区的信号在每一行消稳期间向前推进一行。在行正程期间，由水平CCD移位寄存器逐像素读出信号。 帧转移型CCD在帧转移期间，全部电荷在成像区移动，一列中的每一个像素都被这列中后面的其他像素的光线照射过，因此景物中的亮点就会在图像上产生一条垂直亮带，这个现象称为拖尾。 2) 行间转移型(IT型，Interline Transfer) 行间转移型面阵CCD如图2―4(b)所示。摄像器件的光敏成像部分和存储部分以垂直列相间的形式组合。在场正程期间，在成像列积累信号电荷，场消隐期间一次转移到相应的存储列上。存储列的信号在每一行消隐期间沿垂直方向下移一个单元；在行正程期间，由水平CCD移位寄存器逐像素读出信号。