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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 2、半导体式气敏传感器－ Pd-MOSFET气敏传感器 Pd-MOSFET气敏传感器是一个金属-氧化物-半导体场效应管，用金属Pd薄膜替代铝作为栅电极，SiO2绝缘层的厚度比普通的MOSFET薄，底层仍是P型Si衬底。 Pa具有只允许氢通过而阻挡其它成分通过的特殊选择性 第二节 常用传感器简介 七、气体传感器 2、半导体式气敏传感器－ Pd-MOSFET气敏传感器 若将Pd-MOSFET的栅极G和漏极D短接，在源极S和漏极之间加电压VDS，则漏极电流ID可表示为： ，式中β为常数，只与的结构参数有关，VT为阈值电压。 当栅极暴露于氢气中，由于Pd的催化作用，氢分子在Pd外表面发生分解，形成的氢原子通过Pd膜迅速扩散并吸附于金属和SiO2界面，在此界面上氢原子在Pd金属一侧极化而形成偶极层，使Pd金属的电子功率函数减小，从而使VT下降。若保持ID不变，当与氢气接触时引起VT变化，VDS随之等量变化。根据变化量△VDS＝△VT来测定氢气的浓度。 第二节 常用传感器简介 七、气体传感器 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *