电化学作站上位机控制软件的开发外文翻译.docx

模式复位外部程序读选通输出地址锁存允许信号有效地址P3.3P3.4P3.5P3.6P3.7数据 输入/输出P0.7:0地址P2.5:0P1.7:0串行编程模式(1)Hhh芯片擦除(2)Hl1.0 μs12VHLHLLXX页写(3)(4)(5) 12K码HL1.0 μs12VLHHHHDIADDR阅读 12K 码HLH12VLLLHHDOADDR页写(3)(4)(6) 2K码HL1.0 μs12VLHLHHDIADDR阅读 2K 码HLH12VLLLHHDOADDR写锁定位(2)(4)Bit-1HL1.0μs12VHLHHD0=0XBit-2D1=0XBit-3D2=0X读锁定位(2)(4)Bit-1HLH12VHHHLLD0XBit-2D1XBit-3D2X页写 (3)(4)(5)用户行HL1.0μs12VHLHHDI0 -3FH阅读 用户行HLH12VLLHLHDO0 - 3FH阅读 单行HLH12VLLHLLDO0 - 3FH写保险丝(2)(4)保险丝1串行程序封包HL1.0μs12VLHHLD0 = 0X串行程序协议D0 = 1X保险丝2x2 计时器封包D1=0Xx2 计时器协议D1=1X保险丝3用户程序封包D2=0X用户程序协议D2=1X保险丝4外部计时器包D3=0X透明计时器包D3=1X读保险丝串口程序（保险丝1）HLH12VHHHLHD0XX2计时器（保险丝2）D1X用户行程序（保险丝3）D2X计时器选择（保险丝4）D2X25. 闪存与电可擦除只读存储器的并行编程模式注释:1. 请详细参阅串行编程模式的时序。2. 内部时序为8.0 ms。3. 内部时序为8.0 ms。编程在“写”的信号脉冲的150 μs（最少）后开始。4.当编程被指向 就绪/忙 时，P3.0将被调至低电位。5. 1~64位将在每页切换时被编程。6. 1~32位将在每页切换时被编程。图25-1. 对 Flash/EEPROM 存储器进行编程(并行模式)图 25-2. 验证Flash/EEPROM存储器 (并行模式)图25-3. Flash/EEPROM连续下载26. flash编程和特色查证——并行模式TA= 20°C到30°C， VCC= 4.0V到5.5V标示参数最低最高单位峰值电压允许编程电压11.512.5V峰值电流允许编程电流1.0mA1/tCLCL振荡器频率324MHztPWRUP能源复位开关高电位10μstRHX复位开关向晶体管开10μstOSTL振荡器设定时间10MstHSTL高电压设定时间10μstMSTP编程开关 低电位1μstASTP地址开关 低电位1μstDSTP数据编程开关 低电位1μstPGW编程器宽度1μstAHLD编程后控制地址1μstDHLD编程后控制数据1μstBLT读位周期1150μstPHBL编程器高电位 忙 低电位256μstWC写周期循环4.5mstMHLD忙 设置低电位后 模式控制10μstVFY对地址的有效数据验证1μstPSTP编程器设置峰值电压高电位10μstPHLD峰值电压下编程器控制10μstPLX编程器低电位到晶体管停止1μstXRL晶体管停止到复位开关低1μstPWRDN复位开关低 到 能源 关1μs注:1.能源在达到峰值电压2.4 v发生一次2.需要9ms擦除芯片图26-1. Flash/EEPROM 编程和波形验证——并行模式27. 连续下载波形 (单程序启动模式1??时钟极性=0，时钟相位=1)28. 串行编程特征图28-1. 串行编程时序表 28-1. 串行编程特征， TA= -40°C到85°C，峰值电压= 2.7V到5.5V (若无其他提示)标识参考值最低种类最高单位1/tCLCL振荡器频率324MHztCLCL振荡器周期41.633.3NstSHSL串行时钟脉冲宽度高电位8 tCLCLnstSLSH串行时钟脉冲宽度低电位8 tCLCLnstOVSL串行数据输出设置到串行时钟低电位tCLCLnstSHOX串行数据控制于串行时钟低电位后2 tCLCLtSHIV串行时钟高电位到串行数据输出验证101632nstERASE芯片擦出时序循环指令9mstSWC连续页写时序循环4.5Ms29. 绝对最大额定值*操作温度 ……………………………………………………………………………………………………………………………… -55°C to +125°C存储温度 ……………………………………………………………………………………………………………………………… -65°C to +150°C接地针脚电压………………………………………………………………………………………………………………………… -1.0V to +7.0V最大工作电压………………………………………………………………………………