使用手册课件_25.doc

HDP-CVD 使用手冊 一. 確認機台狀況： 1.使用機台前請先確認機台狀態(製程中or 維修中or運轉中)，以及機台燈號狀態。 2.確認機台後方的氣體管線以及閥門開關(平行為open 垂直為 close)，管線 壓力是否到達藍色刻度標準以上。 SiH44 SiH44 N2O4 NH34 CF44 3.填寫使用者紀錄手冊並檢查上位使用者使用是否正常。 PS:請填寫使用日期、時間、使用者姓名、製程條件，以及製程中遇到的機台問題(請確實填寫，方便下ㄧ位使用者得知目前機台狀況)。 二. 進入HDP-CVD 軟體介面 1.登入windows帳號後，將會出現計時器，代表開始計費。 2.打開HDP-CVD的操作軟體。 HDP-CVD 操作軟體 HDP-CVD 操作軟體 3.軟體會自動確認機台狀況，打勾代表該項檢查已確認無誤，後按Eenter後進入(有問題 請通知相關負責人)。 4.登入軟體帳號(帳號:user 密碼:user)。 三. clean chamber 進行製程前，請先clean chamber，clean chamber已有一標準 的rescipe流程，步驟如下: 1.進入recipe。 1 1. 2. 下拉選單，選擇clean chamber。 3. PassWard固定為0000，按CHECK。 3. 3. 2. 2. 4.進入後，總共有9個Steps， 4.5. 4. 5. 各個步驟目的分別為: Step1: 通入CF4:30sccm、O2:10sccm pressure:10mtorr 時間60秒，讓氣體流量與石墨盤溫度穩定。 Step2: 開啟ICP Power:400W，產生電漿，清潔chamber，時間600秒。 Step3: 開啟Bias Power:100W，使電漿往下轟擊石墨盤，時間600秒。 Step4: 只通入O2:10sccm，讓CF4完全反應掉，時間300秒。 Step5: pressure:0mtorr，讓抽走腔體內殘留氣體，時間60秒。 Step6: 通入N2:10sccm，pressure:10mtorr，利用氮氣帶走chamber 內的污染物，時間10秒。 Step7: pressure:0mtorr，讓抽走腔體內殘留氣體，時間60秒。 Step8: 通入N2:10sccm，pressure:10mtorr，利用氮氣帶走chamber 內的污染物，時間10秒。 Step9: pressure:0mtorr，讓抽走腔體內殘留氣體，時間120秒。 (此clean chamber recipe為一套標準的清腔流程，若使用者想要更改其中的參數，本機台開放後面五十組可以隨一選取其一更改參數的clean chamber recipe，密碼統一為0000，標準製程參數禁止進入更動) 6. 進入Process(Auto Run 製程介面)。 7. 查看RecipeLoad是否為clean chamber，確定後按start。 四. 製程 1.進入recipe，選擇你所要的recipe(目前已建有SiO2、Si3N4、SiGe請見附錄) ，PassWord:0000，即可進入Recipe畫面。 (以SiO2為例) 溫度控制:顯示在左上角，每個參數所代表的意義分別為 Temp:設定製程溫度。 Deley:到達製程溫度後，Deley幾秒後開始auto run。 Continue:每個Run完成後，是否保持在同一溫度 設為1: 溫度持續保持在設定的製程溫度。 0: auto run完成最後ㄧ個step後，溫度開始降下來。 PS:若要升降溫，請將continue設為0，再執行最後一個RUN，否則執行下一溫度的recipe，溫度將為維持在前ㄧ製程溫度，無法改變。 2.放入sample前，要先把load chamber破真空(按”VENT”鈕)。如果可做破真空的動作的話，等壓力到7.6*10^2 torr即可拉開腔門放入sample。如果不可做破真空的動作的話，請檢查破真空的N2氣體管路的開關是否有開，或壓力是否有道標準值(即藍色標線以上)，如果N2用完了請通知廠務人員。 3.放入sample (嚴禁 光阻、真空膠、粉末性薄膜 進入chamber)。 4.拉開load chamber的門，放入sample到石墨載盤上，然後在關上load chamber的門(看圖示或腔門旁的警示燈即可知是否有關上)。 5.關上腔門後，進入到process的頁面，載入所需要的recipe之後，按下”start”鈕，會出現儲存製程條件介面，選擇路徑以及檔名後存檔，即可進行製程的動作。 6.在製程的過程中，如遇到load chamber的壓力抽不下去，請先abort掉，然後按”VENT”破真空，接下來再重新關好腔