光电成像原理五章 直视型电真空成像物理.ppt

（1）简化的电流增益表达式 MCP的电流增益在每一瞬间并不是一个确定的数值，这是因为通道中的二次电子倍增过程具有随机性。每个电子所激发的二次电子数目并不相等，只能用平均值来表示二次电子倍增特性。二次电子数目的平均值又取决于入射电子的加速电压值及入射角度。在通道多次倍增过程中这些因素都是变化的，因此在每一瞬间MCP的电流增益并不相同，通常只取其平均值为表示MCP的电流增益值。 下一页 上一页 简化的电流增益表达式是通过以下近似处理建立的: ① 通道内二次电子逸出表面的角度分布符合余弦分布律。 ② 通道内二次电子的初能量分布呈现麦克斯韦分布。 ③ 由于通道内二次电子的出射角及初电位都归化为确定值。 在上述简化条件下，MCP的电流增益可表示为： 下一页 上一页 （2）电流增益的实验表达式 简化模型下的增益公式是近似值，更准确的增益应该通过试验测定。 （3）电流增益与相关参数的关系 MCP电流增益的相关参数包含有通道板的开口面积比、通道的长径比、工作电压和通道的二次倍增特性。 ·通道的长径比α 具有相同长径比的MCP，当通道直径和长度按比例改变时其电流增益不变，这一点已被实验所证实。电流增益仅与通道长径比有关。 ·MCP的工作电压U 电流增益开始是随工作电压的上升而增加，到达峰值后则随工作电压的上升而下降。 下一页 上一页 ·MCP的输入端开口面积比 入射到MCP的电子将有一部分损失在输入端面上，只有进入通道开口的电子才能获得增益。对于均匀入射的电子流则可用开口面积比值表征这一情况。这一比值有时称为MCP的探测效率。通常制成的MCP，其开口面积比可达60％。为了增大这一比值有时采用喇叭口形的通道，目前开口面积比可达到80％以上。 ·通道的二次电子倍增系数 为获得高增益必须尽量提高通道内壁的二次电子倍增系数。因此在制造MCP时要进行烧氢处理，以改善内壁的二次电子发射特性。有时在通道入口处的内壁上蒸镀氧化镁（MgO）层，也可改善通道输入端的二次电子倍增特性。 下一页 上一页 下一页 上一页 4.输出电流密度的饱和效应 MCP的自饱和特性表现在输入电流密度增大到一定程度后输出电流不再随输入电流增加而增加。这一最大的输出电流密度称为MCP的饱和电流密度。MCP的饱和效应可以自行恢复，并且只限于每个通道而不影响邻近通道。 MCP的自饱和特性构成了第二代像增强器的主要优点，使像增强器具有防强光特性，因为强光产生的光电流受到MCP饱和电流的限制而不会输出过高的电流，从而保护了荧光屏不致灼伤损坏。 下一页 上一页 饱和效应的产生原因： （1）通道壁的电阻效应 对于连续工作的MCP，持续发射的二次电子是由传导电流提供的。二次电子发射又产生了局部附加电流，方向与传导电流相反。通道板内的电流是上述两种电流的代数和。若输入电流增大到一定值时，会使输出端的局部附加电流增大，使得通道板在局部的电流为零，那么这段通道的压降也就为零，就不会继续导致二次电子的发射。 （2）通道壁的充电效应 当MCP工作在脉冲状态时，饱和电流密度取决于充电效应，极限工作状态是输出端充电所形成的电场完全抵消了工作电场，从而发射的二次电子得不到加速，导致了脉冲工作的输出电流饱和现象。 下一页 上一页 微通道板的工作特性 5．离子反馈 MCP是像管内部的元件，在真空状态下工作。但是由于真空工艺的限制及气体分子吸附作用，必然在像管内有残余的气体分子，这些气体分子在MCP的输出端会受到密集的二次电子碰撞而电离，所产生的正离子在电场的作用下会轰击像管的光阴极，从而产生电子发射，在荧光屏形成亮斑，即离子斑。它一方面破坏了MCP的线性工作特性，同时也降低了光阴极的寿命，因此，必须避免产生离子反馈。 减少离子反馈的措施： 1.提高像管的真空度及设置吸气剂。 2.采用倾斜通道或弯曲通道的MCP。 3.在MCP的输入端蒸镀一层氧化铝膜。 4.在像管的阳极区设置离子收集电极。 下一页 6．MCP的噪声 MCP在无信号输入时，由工作电压产生的场强会使通道内壁产生微弱的场致发射，再经过后继的倍增而产生输出电流，这一输出通常称之为背景噪声。若将这一输出电流折合为输入电流密度值，该数值被定义为背景噪声的等效电子输入。它取决于通道内壁的材料性质及表面状态，同时也与工作电压有关。它随工作电压的升高而增大，呈线性关系。经实测得知，MCP在典型工作状态下其背景噪声的等效电子输入为10-18～10-17A/cm2。 该数值比光阴极的暗发射电流密度约小两个数量级，因此在像管的背景噪声中可以忽略MCP的噪声