模拟电子技术基础第一章半体基础新.pptVIP

模拟电子技术基础 PN结的单向导电性 PN结正向偏置时靠多子导电，产生的正向电流数值较大,此时容易导电； PN结反向偏置时靠少子导电，产生的反向电流数值很小，几乎不导电。 3、PN结的击穿特性 当PN结反向电压增加时，可能会发生反向击穿。 要保证PN结不因电流过大产生过热而损坏。 当反向电压下降到击穿电压（绝对值）以下时，PN结的性能便可恢复击穿前状态。  其他类型二极管 1、发光二极管：当外加正向电压使的正向电流足够大时，二极管开始发光。发光二极管也具有单向导电性，它的开启电压比一般的二极管大。颜色不同，发光二极管的开启电压不同。一般红色的在1.6—1.8V之间，绿色的为2V左右。 PN结中空间电荷的数量随外加电压变化所形 成的电容称为势垒电容 S：PN结面积 d：PN结宽度 ε：半导体介电常数 （1） 势垒电容CB 载流子在扩散过程中积累的电荷量随外加电压变化所形成的电容称为扩散电容 （2） 扩散电容 CD I：正向电流 τ：非平衡少子的寿命 PN结的结电容CJ为势垒电容CB与扩散电容CD之和，即 CJ=CB+CD 符号 阳极 阴极 1.2 半导体二极管 + SiO2保护层 P型区 — 平面型 N型硅 PN结 点接触型 + 触丝 N型锗 支架 外壳 — PN结 1.2.1 半导体二极管的结构和类型 U / V 1.2.2 二极管的伏安特性 一、正向特性 阈值电压Uth:使二极管开始导通的电压 硅管Uth=0.5V 锗管Uth=0.2V 导通电压(Uon)： 硅(0.6～0.8)V (取0.7V） 锗(0.1 ～0.3)V (取0.2V） I / mA 正向特性 反向特性 Uth 二、反向特性 加反向电压时，反向电流很小。 U / V I / mA 正向特性 反向击穿特性 反向特性 Uth 三、击穿特性 几十 0.1 - 0.3 ≈0.1 锗 0.1 0.6 - 0.8 ≈0.5 硅 反向饱和电流/?A 导通电压 /V 开启电压Uth /V 材料 两种不同材料构成的二极管的比较: 1.2.3 二极管的主要参数 1. 最大整流电流IF 2. 最大反向工作电压UR 二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，由PN结 面积及散热条件决定。 二极管在使用时所允许加的最大反向电压，通常为击穿电 压的一半。 1.2.3 二极管的主要参数 3、反向电流IR 4、 最高工作频率fM 二极管未击穿时的反向电流值。 主要由PN结的结电容大小决定。超过此值，单向导电性变差。 1.2.4 半导体二极管的型号及选择 一、半导体器件型号命名方法 (教材13页） 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 数字表示器件的电极数 拼音字母表示器件的材料和极性 拼音字母表示器件的类别 数字表示序号 拼音表示 规格号 2CP10 1.2.4 半导体二极管的型号及选择 二、选用二极管的一般原则 1、要求导通后正向压降小的选锗管；要求反向电流小选硅管。 2、工作电流大时选面接触型；工作频率高时选点接触型。 3、反向击穿电压高时选硅管。 4、要求耐高温时选硅管。 1.2.5二极管的等效电路 一、理想二极管等效模型 I/ mA U / V 符号： 正偏时压降为零； 反偏时电流为零。 二极管具有非线性的伏安特性，为便于分析，在一定条件下，对其进行线性化处理，建立二极管的“线性模型”。根据二极管的不同工作状态及分析精度的要求，可选择不同的模型 1.2.5二极管的等效电路 二、理想二极管+恒压源模型 符号： Uon 只有正偏电压超过导通电压，二极管才导通，其两端电压为常数；否则二极管不导通，电流为零。 Uon是二极管的导通电压 I/ mA U/ V Uon 0 除直流信号外，又引入微小变化的信号，可以用伏安特性在Q处的切线近似表示实际的这段曲线。 此切线斜率的倒数为二极管在Q处的动态电阻等效电阻 三、微变信号模型 UDQ △ID I/ mA U/ V △UD IDQ Q △U + - △ID rd 动态电阻与直流工作点位置有关 1.2.6半导体二极管应用举例 1、串联限幅电路 二极管与负载电阻串联 ui正半周且数值大于导通电压，二极管导通， Ui负半周或数值小于导通电压，二极管截止， uo＝ 0 1.2.6半导体二极管应用举例 2、并联限幅电路 二极管与负载电阻并联 ui正半周且数值大于导通电压，二极管导通， uo＝ Ｕon Ui负半周或数值小于导通电压，二极管截止， uo＝ ui 1.2.6半导体二极管应用举例 3、双向限幅电路 二极管反向并联在输出端 限制了输出信号的正负幅度 uo＝ ?Ｕon VS