cell简单良分类及原因介绍PPT.pptVIP

亮点，灭点 个数, 间距, 连续 成因： Active remain, S/D remain, Gate remain, P/T Invisible(不可见) 区分方法: 显微镜下看，哪层的remain，根据外形，颜色 发生在2个Line以上或X和Y发生Cross的现象 DDS：两条竖直的亮线 GGS：两条水平的白线 DGS：水平的暗线和一条竖直亮线?? 成因： 金属Remain 导电particle DGS中可以根据导电颗粒的 位置来确定短路处 SCRATCH在DATA PAD上发生 XY线看起来为亮线或灭线的现象 X?? ? ?（完全亮线） 跟contact missing的区别在于它的亮度不均 Y?? ?(薄线) 浅灰色的亮或者暗线，灰度不均，有的段很不明显 Gate set-Min 处确认 成因：ESD造成data和repair line 短接。 clean时候的pt造成open。 OPEN D-O： X线中间断掉的状态 成因 Chemical attack（AT） Particle Array DGS(-DO) Invisible 一段亮线，向一侧逐渐变浅 若 STORAGE LINE在中途断掉，则信号发生 DELAY，在 OPEN POINT处变亮，然后逐渐趋于正常. 因 Vcom 信号发生 DELAY ，所以从两侧施加，但随着 OPEN POINT不同，发生状态也不同. (若在正中央发生 OPEN，则不发生亮线) ESD 契形的亮斑, 有的伴有Line Defect ESD可以造成诸多不良，很多PXL，L－D都是由于ESD造成 成因：受ESD影响，TFT发生劣化或损坏 PXL消失（ BM消失 ） B/L的光线直接透过C/F,有白色的划痕 原因： C/F损伤 跟cell异物或者Scratch的区别 Spect 很严格，0.2mm内 异物0.5以内。 Size:（长轴+短轴）/2 scratch 看起来很亮的线形， 带有方向性 成因 Cell内/POL/Panel表面的划伤 可以通过观察Scratch处的像素BM是否可见来判断Scratch是发生在上层还是下层(BM可见则是TFT Scratch) ??(异物) 亮的线形，无规则形状。跟Scratch的区别在于无方向性，很多见 成因 多由成盒或者POL贴附时候的PT造成 可以通过亮斑的垂直位置来判断是POL异物还是Cell异物 Zaratsuki Align Miss型 CF BM窄的原因而发生 SPACER 密集，细小的色点 成因 Spacer受到挤压，而发生移动或破损，使取向膜损伤而产生 ??(漏光) L0下，多在panel的两侧发生漏光区域会看起来较亮，在某一视角上看得清楚，可以用loupe观察是PXL的哪个区域漏光 成因 CF与TFT极板未完全对齐，BM无法挡住像素一侧透出的光线 ??(变色) PAD变色：很多Y向薄的浅的灰色line 成因： *Pad上的外物造成Pad与pin的contact不良 Cleaning repair MURA Mura在cell test中非常常见，分类也非常之多，大体上分为Gap性Mura和非Gap性Mura，另外有一些未确认的Mura需单独分析处理 Gap性Mura显白色或黑色，用手按屏有动态的Ripple现 象，由盒厚不均匀引起 非Gap性Mura多为白色或黑色污渍，指压时不发生 Ripple，界限较明显，多为PI膜毁坏，污染等与取向相关的不良 大多Mura在L31 Pattern中易见 Gap Mura 在L31下，圆形或其它形态的外围界限不分明的白色或黑色不良，用手按屏有动态的Ripple现象 若Gap Mura成片地连续出现则为连续Mura 成因 成盒时panel受到挤压，异物，或者真空等原因造成的Gap不均引起的 ?? ?(注入口)Mura 注入口部分出现白或黑色现象 ，色斑的形态很多 成因 因注入口部分污染等原因发生 有的cell中看不到，模块aging以后发生 ?Mura 色Mura： 在特定颜色的pattern下容易发现，颜色比周围颜色深 形态很多：圆形，扇形等 成因 C/F的原材料不正常引起的 ???(黑白点 ) 黑点: 在L31～L63中， 看起来黑色形态小点状污渍 白点: 在L0～L31中， 看起来亮的小点状污渍