半导体压阻薄膜高应变传感器研究 开题PPT.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 研究内容（测试） Research contents 测试精度： 试验机可给出几百μ ε、多种波形的疲劳载荷 LVDT采集精度1μm相当于10 μ ε 采集仪表Agilent34970A分辨率6?位，3612A提供微小直流恒流 可很好地描述应变片工作性能。 研究内容（优化） Research contents 高温下热输出的补偿方法： 半桥法（适合变温） 串联法（需串联金属不受应变） 掺杂法（Ag掺杂较新，室温效果好） 后期补偿（电路相关，暂不涉及） 研究内容 （优化） Research contents 文献结果：掺Ag45%，室温TCR=0。研究高温下掺杂比例、种类，及对灵敏度、稳定性和其它性能的影响。 1.模拟界面应变传递过程，确定钢箔和连接层的影响，得出减敏规律。 2.优化敏感栅构型。 3.焊点布置 掺Ag对压阻性能影响 模拟与分析 技术路线 Technical Route 半导体薄膜高温应变片 沉积Al2O3连接层 沉积ITO敏感栅 薄膜表征 电、热测试 薄膜表征 电、热测试 长时测试 数据分析 制片安装 动应变测试 数据分析 灵敏度 TCR 介电性能 应变传递 直接沉积 模拟计算 参数调整 掺杂改性 性能改进 可行性分析 Feasibility Analysis 磁控溅射法制备ITO和Al2O3薄膜 磁控溅射法制作TCO薄膜最普遍， 现多用MOCVD和磁控溅射方法 沉积Al后高温氧化。沉积速率快， 填平粗糙度，疏松多孔有助于增大量程 试验条件 （制备）JCP300镀膜机实现镀膜和掺杂 （测试）RPL50试验机可给拉压载荷、 CSS-3902、3905试验机可给拉拉载荷和静载荷 （采集）采集表可满足采集精度要求 （表征）分析测试中心可满足表征要求 可行性分析 Feasibility Analysis 3. 应变传递模拟 模拟端环形状的影响。 模拟连接层和基底的减敏作用。 焊点位置不同的影响。 蠕变应变测量 蠕变应变测量时间长、累积应变大（1-2%）变形量小（每天一到几μ ε ），现场振动噪音，材料本身蠕变，很有可能测不准。做应变片长时稳定性试验。 预计创新点 Anticipated innovation 1）选ITO作敏感栅材料，制成传感器产品，使具有大灵敏度、易合成、易用性的特点，突破难熔金属成本成本障碍，推进高温应变片测量普及。 2）考查应变片测量蠕变应变时表现，测量微小应变的前提下保证小的零漂、蠕变，通过界面反应改善薄膜高温稳定性。使长时静态高温变形测量更加可靠。 3）首次考察Ag掺杂对高温压阻性能的影响，研究对其它性能的影响。解决半导体TCR偏大的问题，得出掺杂规律，指导其他掺杂。 研究进度 Research progresss 研究内容 2010 2011 2012 2013 3 4 1 2 3 4 1 2 3 4 1 2 3 4 查阅文献，购买仪器，搭建测试装置，基础实验 研究ITO制备参数和热处理工艺对薄膜形貌和电、热性能的影响，研究Al2O3连接层的介电性能和应变传递性能 文章 采用疲劳蠕变试验机考查作为传感器的短时性能指标 对ITO薄膜进行Ag掺杂，研究不同化学计量比对薄膜对形貌和电、热性能的影响 研究ITO/Ag膜作为高温应变传感器的短时性能指标 文章 专利 软件模拟确定结构外形和安装方式 优化后薄膜的高温长时稳定性考察 其它元素掺杂、细节优化、整体评估 文章 专利 撰写学位论文，准备答辩 已完成工作 Accomplished work 1）（选型）查阅文献，选定传感器类型、敏感栅和连接层材料、制备工艺。选定电阻式-薄膜式-ITO-磁控溅射法。 2)（硬件） 购买靶材、恒流源、采集设备，加工掩模板，学习试验机操作。ITO陶瓷靶-采集设备兼顾精度和成本要求-掩模板校内电火花加工，制作产品时可用“光刻+化学刻蚀法”。 已完成工作 Accomplished work 3）（制备）考察温度、气压对ITO方阻的影响，Al2O3薄膜制备工艺对电阻影响。ITO方阻20Ω/□以下， Al2O3方阻2×107Ω/□以上。 4）（测试）暂定测量电流mA级， XRD表征， SEM照片看形貌和沉积率，在23CrMoNiWV88钢试样表面沉积敏感栅花样待测 The En