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DS18B20时序详解 初始化时序： DS18B20的所有通信都是以由复位脉冲组成的初始化序列开始的。该初始化序列由主机发出，后跟由DS18B20发出的存在脉冲（presence pulse）。下图阐述了这一点。 DS18B20发出存在脉冲，以通知主机它在总线上并且准备好操作了。 在初始化时序中，总线上的主机通过拉低单总线至少480μs来发送复位脉冲。然后总线主机释放总线并进入接收模式。总线释放后，4.7kΩ的上拉电阻把单总线上的电平拉回高电平。当DS18B20检测到上升沿后等待15到60us，然后以拉低总线60-240us的方式发出存在脉冲。 如上所述，主机将总线拉低最短480us，之后释放总线。由4.7kΩ上拉电阻将总线恢复到高电平。DS18B20检测到上升沿后等待15到60us，发出存在脉冲：拉低总线60-240us。至此，初始化和存在时序完毕。 ?? ? /*延时函数：（由于DS18B20延时均以15us为单位，故编写了延时单位为15us的延时函数，注意：以下延时函数晶???为12MHz）*/? ? /*? ? ************************************? ? 函数：Delayxus_DS18B20? ? 功能：DS18B20延时函数? ? 参数：t为定时时间长度? ? 返回：无? ? 说明： 延时公式：15n+15（近似）,晶振12Mhz? ? ******************************************? ? */? ? void Delayxus_DS18B20(unsigned int t)? ? {? ?? ?? ? for(t;t0;t--)? ?? ?? ? {? ?? ?? ?? ?? ???_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();? ?? ?? ? }? ???? ?? ?? ? _nop_(); _nop_();? ? } /*? ? ************************************? ? 函数：RST_DS18B20? ? 功能：复位DS18B20，读取存在脉冲并返回? ? 参数：无? ? 返回：1：复位成功 ；0：复位失败? ? 说明： 拉低总线至少480us ;可用于检测DS18B20工作是否正常? ? ******************************************? ? */? ? bit RST_DS18B20()? ? {? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ? bit ret=1;? ?? ?? ? DQ=0;/*拉低总线 */? ?? ?? ? Delayxus_DS18B20(32);/*为保险起见，延时495us */? ?? ?? ? DQ=1;/*释放总线 ，DS18B20检测到上升沿后会发送存在脉冲*/? ?? ?? ? Delayxus_DS18B20(4);/*需要等待15~60us，这里延时75us后可以保证接受到的是存在脉冲 */? ?? ?? ? ret=DQ;? ?? ?? ? Delayxus_DS18B20(14);/*延时495us，让ds18b20释放总线，避免影响到下一 步的操作 */? ?? ? DQ=1;/*释放总线 */? ?? ?? ? return(~ret);? ? } 写时序： 主机在写时隙向DS18B20写入数据，在读时隙从DS18B20读取数据。在单总线上每个时隙只传送一位数据。 有两种写时隙：写“0”时间隙和写“1”时间隙。总线主机使用写“1”时间隙向DS18B20写入逻辑1，使用写“0”时间隙向DS18B20写入逻辑0.所有的写时隙必须有最少60us的持续时间，相邻两个写时隙必须要有最少1us的恢复时间。两种写时隙都通过主机拉低总线产生（见下图）。 为了产生写1时隙，在拉低总线后主机必须在15μs内释放总线。在总线被释放后，由于4.7kΩ上拉电阻将总线恢复为高电平。为了产生写0时隙，在拉低总线后主机必须继续拉低总线以满足时隙持续时间的要求(至少60μs)。 在主机产生写时隙后，DS18B20会在其后的15到60us的一个时间窗口内采样单总线。在采样的时间窗口内，如果总线为高电平，主机会向DS18B20写入1；如果总线为低电平，主机会向DS18B20写入0。 如上所述，所有的写时隙必须至少有60us的持续时间。相邻两个写时隙必须要有最少1us的恢复时间。所有的写时隙（写0和写1）都由拉低总线产生。 写函数为：? ? /*? ? ************************************? ? 函数：W