电子技术初步（数字电路第7章 半导体存储器和可编程辑器件.ppt

电子技术初步（数字电路） ? 本次课知识点： RAM的结构及工作原理 RAM的字扩展和位扩展 第2节 随机存取存储器（RAM） 随机存取存储器又叫读/写存储器，它具有与ROM类似的功能。与ROM的主要区别有两点：其一，读/写方便是它最大的优点；其二，RAM一旦掉电，所存储的数据将随之丢失，所以它不适于用做需要长期保存信息的存储器。 随机存取存储器可分为静态RAM和动态RAM两类。动态RAM的集成度高、功耗小，但不如静态RAM使用方便。下面以静态RAM为例来介绍随机存取存储器的基本组成和原理。 第2节 随机存取存储器（RAM） 2.1 RAM的基本结构和工作原理 RAM的基本结构框图 与ROM一样，RAM也是由存储矩阵和地址译码器构成的。 不同的是RAM必须具有读/写控制电路，在读/写控制信号的控 制下进行读或写的操作。RAM的基本组成如下图所示。 下面通过一个存储单元的读/写操作过程，说明RAM的基本原理。 下图所示是由两个NMOS管和两个反相器组成的存储单元。 其工作原理如下： RAM的基本存储单元 2.1 RAM的基本结构和工作原理 （1）Tl和T2是门控管，由字线的状态控制它导通或截止。 （2）读/写信号由三态门控制。 （3）由于同一时间不能既进行读操作又进行写操作，所 以可以用一组数据线，在读/写信号的控制下进行读出数据或 写入数据的操作。 （4）一片RAM的存储容量是有限的，通常是用多片 RAM组成一个更大容量的存储器。 2.1 RAM的基本结构和工作原理 在数字系统或计算机中，单片存储器芯片常不能满足存储容量的要求。 下面以静态RAM2114为例来说明RAM容量的扩展方法。RAM2114的容量是1024×4位，或写成1K×4位(即1024个字，每个字长4位)。 1、RAM的位扩展 常见的RAM芯片字长有4位的、8位的、16位的和32位的不等。下图所示是用两片2114芯片连接进行位扩展的例子。 2.2 RAM存储容量的扩展 RAM的位扩展 下图中位的扩展是通过将芯片并联的方式实现的，即将RAM的地址线、读/写控制线和片选信号线对应地并联在一起。各芯片的数据输入/输出(I/O)线就作为扩展后存储器字的位线。 2.1 RAM的基本结构和工作原理 扩展后的存储器，由于两芯片的读/写控制线和片选信号线并联在一起，当这两个信号有效时，则两芯片都将被选中而同时进行读或写操作。芯片1的四条数据线作为扩展后字的高4位，芯片2的四条数据线作为扩展后字的低4位。扩展后存储器的容量为lK×8位，即l024个字，每个字8位。 若需要lK×l6位的存储容量，则需用4片2114芯片并联来实现。读者 可自行设计芯片的接线图。 2.1 RAM的基本结构和工作原理 字数的扩展也可以通过芯片并联的方式实现，即将RAM的 地址线、读/写控制线、数据线对应地并联在一起，再用一个 译码器作为各芯片的片选控制。 下图所示是用四片2114组成的存储器字扩展电路。下图中， 各片的读/写信号线和地址译码线并联在一起，其作用与位扩 展时一样。当A11A10=00时，芯片1被选中，若读/写信号有效时， 根据地址线A0~A9的状态，对芯片1中的某个字进行读或写的操 作。 2、RAM的字扩展 2.1 RAM的基本结构和工作原理 RAM的字扩展 2.1 RAM的基本结构和工作原理 3、RAM的字位同时扩展 对于字位同时扩展的RAM，一般先进行位扩展再进行字扩 展。例如用RAM2114扩展为4K×8位存储器，先将1K×4RAM扩展 为1K×8RAM，需要两片2114。将字数由1K扩展为4K，即字数扩 展了4倍，故应增加两位地址线，通过译码器产生4个相应的低 电平去连接4组1K×8RAM的片选端 ，读者可自行画出电路 图。 2.1 RAM的基本结构和工作原理 重点及难点 ※重点：RAM的位扩展、字扩展、字位同时扩展。 ※难点：RAM的基本结构和工作原理。讲清楚 的控制作用，只有被选中的一片能进行读/写操 作，其余各片均处于高阻态，不能进行读/写操 作。 讨论 ? 1、怎样实现RAM字长的扩展？扩展后存储器的字数和位数怎样计算？存储器的容量怎样计算？ 2、怎样实现RAM字数的扩展？扩展后存储器的字数和位数怎样计算？存储器的容量怎样计算？ 3、用RAM2114组成8K×8位的存储器，需要几片芯片？其片选译码器需要几个输入端？ 本节小结 　　 随机存取存储器（RAM）可以在任意时刻、对任意选中的存储单元进行信息的存入（写入