偏压对SiSb相变膜的影响.pptVIP

毕业论文开题报告答辩展示 偏压对SiSb相变薄膜的影响 1 选题背景及其意义 在这个全球数字化的的今天，信息存储技术广泛应用于各行各业。各式各样的信息存储技术给多元化的生活增添了无数的便利。 现今主流成熟的存储技术有：磁记录存储技术，光记录存储技术，电记录存储技术。 随着数据内容格式越来越复杂化，容量越来越大的趋势背景下，存储技术还有许多可挖掘的内容。 背景和简介 光盘媒介存储的优势 不易受到病毒木马的攻击 价格低廉、使用方便 盘面抗污染能力强 信息保存时间长 存储密度高 本课题研究重点——记录层 原理：以激光记录信息。由于烧录前后的反射率不同，经由激光读取不同长度的信号时，通过反射率的变化形成0与1信号，借以读取信息。 主流材料：Ge-Sb-Te相变存储材料、 Ag-In-Sb-Te相变存储材料。 新兴材料：SiSb相变薄膜材料 相变原理 相变光存储利用激光使存储介质在非晶态和结晶态之间发生可逆变化而实现。介质的结晶态(C)处于吉布斯自由能的最低位置，是介质的稳定态；非晶态(G)处于自由能较高的位置，是介质的亚稳态。相变光存储利用非晶相和晶相之间的反射率不同来代表二进制中的“1”和“0”，进行信息光存储和擦除。读取已存储的信息时，只要一束较低功率的激光。 相变材料的晶态∞非晶态变化导致材料光学性质( n、k)发生变化 ，从而引起反射率变化。反射率对比度(C)是衡量材料光存储