2.1 已读半导体基础知识..pptVIP

几个问题: 1.加N型和P型的表示图 2.单向导电图改下标D为PN 3.结电容部分增加叙述和图 第二章 常见电子元件 第二章 常见电子元件 2.1 电阻、电容和电感的回顾 2.2 半导体基础知识 2.3 二极管 2.4 三极管 2.5 场效应管 2.6 其它半导体元件简介 2.1 电阻、电容和电感的回顾 降压、分流 存储电荷； 隔直流通交流。 电磁感应； 通直流阻交流； 变压器； 模拟电路中除了R、L、C等常用电子元件外，应用更广泛的是半导体元件：二极管、三极管、场效应管等，其特点是由半导体材料参与制造。 自然界中物质按导电能力分为三大类： 导 体—很容易导电的物质。如银、铜、金、铝等。 绝缘体—不导电的物质。如塑料、陶瓷等。 半导体—导电能力介于导体和绝缘体之间。如锗、硅。 2.2 半导体基础知识 1、本征半导体的原子结构 2.2.1 本征半导体 高度提纯、晶体结构完整的单晶体叫做本征半导体。 （1）在绝对温度T=0?K（-273 ?C）时，半导体相当于绝缘体。 晶体共价键结构平面示意图 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共价键 2、本征半导体中的两种载流子 （2）本振激发现象： 常温下或受到光照时，半导体中存在二种等量的载流子：自由电子和空穴，具有了导电能力。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 自由电子 空穴：自由电子产生的同时，在其原来的共价键中出现的一个空位。 热敏和光敏特性：温度越高，本征激发现象越厉害，自由电子-空穴对数目越多，导电能力越强。 （3）复合：在本征激发的同时，游离的部分自由电子回到空穴中去的现象。 纯净硅晶体中硅原子数为1022/cm3数量级， 在室温下，载流子浓度为ni=pi=1010数量级， +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 数目越来越多？ 在一定温度下，本征激发和复合会达到动态平衡，载流子浓度一定。 复合 （4）半导体如何在外电场的作用下导电？ 自由电子在晶体中的定向运动； 价电子在共价键中填补空位形成的定向运动； +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 带负电的价电子在共价健中填补空位形成的运动，相当于空穴（带正电）在做反方向的运动（正电荷的移动）。 + + + + - - - - 结论：半导体是依靠自由电子和空穴两种载流子导电的物质。 动画演示 2.2.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质（三价或五价元素）后的半导体叫杂质半导体。 杂质半导体分为N型半导体和P型半导体两种。 掺杂后的半导体可以显著地提高导电性能，是形成PN结的基础。 1. N型半导体 五价杂质元素提供自由电子。---施主杂质 在N型半导体中， 自由电子是多数载流子, 空穴是少数载流子。 在本征半导体中掺入微量的五价杂质元素 （如砷、磷、锑），可形成 N型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +4 +4 +4 自由电子 本振激发 N型半导体本身任然呈电中性： 自由电子数=空穴数+正离子数 带负电？ 例：纯净硅晶体中硅原子数为1022/cm3数量级， 在室温下，载流子浓度为ni=pi=1010数量级， 掺入百万分之一的杂质（1/106），即杂质浓度为1022*（1/106）=1016数量级， 则掺杂后载流子浓度为1016+1010，约为1016数量级， 比掺杂前载流子增加106，即一百万倍。 正离子不导电 杂质半导体中，多子的浓度主要取决于掺杂浓度。少子由本征激发产生，其浓度与温度有关。 2. P型半导体 三价杂质元素提供空穴。---授主杂质（接收价电子） 在P型半导体中， 空穴是多数载流子, 自由电子是少数载流子。 在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素 （如硼、镓、铟），可形成 P型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +3 +4 +4 +4 空穴 本振激发 P型半导体本身任然呈电中性： 空穴数=自由电子数+负离子数 负离子不导电 2.2.3 PN结的形成及特性 1）在一块本征半导体两侧分别扩散成N型和P型两个区域； 2）由于浓度差引起多子的扩散运动，中间出现正、负离子构成的区域； 3）正、负离子形成的内电场阻止多子的扩散，形成少子的漂移运动； 4）稳定状态下，扩散运动与漂移运动达成动态平衡，正、负离子形成的电荷区宽度一定，形成PN结。 1、PN结的形成 越来越宽？ PN结也称作势垒区，耗尽层，阻挡层。 2、PN结形成过程中的两种运动： 多数载流子扩散运动和少数载流子飘移运动。 总结： 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 因浓度差 多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 动态