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CCD复习知识点汇总 最近修改时间：2017年10月 课程：CCD原理与应用 考试：5大题：单项选择题15道（3），简单题（2.5），分析题I（1.5），分析题II（2）， 综合题（1） 一 1. CCD定义 CCD是英文Charge Coupled Devices的缩写,译作“电荷耦合器件”是以电荷包的形式存储和传递信息的半导体表面器件。 CCD由哪几部分组成？ CCD 是由规则排列的金属—氧化物—半导体（Metal Oxide Semiconductor,MOS）电容阵列组成。 主体部分：信号电荷转移部分（MOS电容器构成动态移位寄存器）用于存储传输电荷。 输入部分：对信号电荷的采样（电注入或光注入）将信号电荷导引到转移栅下面的势阱中。 输出部分：将CCD最后一个转移栅下的势阱信号电荷引出，并检出电荷所输运的信息。 2. CCD的发明时间与地点 发明：1969年秋，由美国贝尔实验室提出(W.S博伊尔、G.E史密斯)。1970年3月的电子工程师协会（IEEE)国际会议上首次发表。 3、 CCD的工作过程分4步： 信号输入、电荷存储、电荷转移、信号输出。 4. CCD的应用分三个方面： 图像传感、信号处理和数字存储。 5.应用：数字摄像机 、X射线拍照、遥感、制导，微光夜视、内窥镜，显微镜 TV电话、车辆后视、传真机、扫描仪，数字照相机 二 1. 表面势、势阱的概念, CCD的基本构成单元 构成CCD的基本单元是MOS（金属－氧化物－半导体）结构。 势阱：表征MOS电容存储电荷的能力。 表面势：半导体与绝缘体界面上的电势Φs 2. 电荷耦合过程及其概念，电极的作用 电荷耦合就是电荷转移。 电荷耦合：移位寄存器中电荷在外加栅压有序的变化下，从一个电极的势阱向下一个电极下的势阱转移的现象。 基本结构应包括：转移电极结构、转移沟道结构、信号输入结构和信号检测结构。 电极的作用：在驱动信号作用下使电荷定向转移，相邻势阱耦合。 3. CCD输出信号特点？*重点 ①单沟道线阵CCD ②双沟道线阵CCD ①每个象素的输出信号浮置在一个正的直流电压上(如：5V),信号电平在几十∽几百mV变化，呈单极性负向变化。 ②输出信号随时间轴按离散形式出现，每个电荷对应一个象元，中间由复位电平隔离（信号包含复位脉冲干扰）。 ③将空间分布光学图像变换为按时间分布的离散电压信号。 4. 光注入型：用于图象传感 电注入型：用于信号存储和处理 光注入时间tc由CCD驱动器的转移脉冲的周期决定 5. ICCD工作过程： ①将景物成像在CCD光敏面上，光敏面将每个像敏单元的图像照度转变为信号电荷存在MOS电容器中； ②转移到移位寄存器（转移电极下的势阱）中； ③（在驱动脉冲作用下）顺序移出电荷并转为电压。 ICCD两种形式： ①单沟道线阵CCD ②双沟道线阵CCD 三、 1、转移效率η和转移损失率ε η：一次转移后到达下一个势阱中的电荷量与原来势阱中的电荷之比 ε：电荷包在一次转移过程中损失的电荷量占原电荷量的百分比 2.影响转移效率的因素 ①界面态对电荷的俘获可能造成转移损失 ⑴界面态 ⑵界面态影响 ⑶克服方法：“胖零” ②（驱动时钟）工作频率对转移效率的影响 3. 驱动时钟的工作效率的上下限，以及上下限限制的决定因素 结论：工作频率的上限由电荷包的转移时间t决定。 结论：工作频率的下限由少数载流子的寿命τ决定. 4. 响应度、饱和曝光量 光响应度a（斜率）：在线性区，直接反映CCD象元灵敏度和电荷/电压能力。 反映单位曝光量的增长下能产生电荷的能力。 饱和曝光量：CCD输出不再随曝光量变化而变化时对应临界点处的曝光量值 5. CCD光谱响应 表示CCD对各种单色光能的相对的响应能力，其中响应度最大的波长称峰值响应波长。 6. 噪声 噪声源：(1)由于电荷注入器件引起的噪声； (2)电荷转移过程中，电荷量的变化引起的噪声； (3)由检测产生的噪声。 光子噪声（输入噪声） 俘获噪声（转移噪声） 胖零噪声（转移噪声） 检测噪声（输出噪声） 暗电流噪声 7. CCD分辨率 分辨率：CCD能分辨的最小空间距离。象元数越多，象元中心距越小，