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CCD复习资料汇总最终版精简)
CCD复习知识点汇总
最近修改时间:2017年10月
课程:CCD原理与应用
考试:5大题:单项选择题15道(3),简单题(2.5),分析题I(1.5),分析题II(2),
综合题(1)
一
1. CCD定义
CCD是英文Charge Coupled Devices的缩写,译作“电荷耦合器件”是以电荷包的形式存储和传递信息的半导体表面器件。
CCD由哪几部分组成?
CCD 是由规则排列的金属—氧化物—半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)电容阵列组成。
主体部分:信号电荷转移部分(MOS电容器构成动态移位寄存器)用于存储传输电荷。
输入部分:对信号电荷的采样(电注入或光注入)将信号电荷导引到转移栅下面的势阱中。
输出部分:将CCD最后一个转移栅下的势阱信号电荷引出,并检出电荷所输运的信息。
2. CCD的发明时间与地点
发明:1969年秋,由美国贝尔实验室提出(W.S博伊尔、G.E史密斯)。1970年3月的电子工程师协会(IEEE)国际会议上首次发表。
3、 CCD的工作过程分4步:
信号输入、电荷存储、电荷转移、信号输出。
4. CCD的应用分三个方面:
图像传感、信号处理和数字存储。
5.应用:数字摄像机 、X射线拍照、遥感、制导,微光夜视、内窥镜,显微镜
TV电话、车辆后视、传真机、扫描仪,数字照相机
二
1. 表面势、势阱的概念, CCD的基本构成单元
构成CCD的基本单元是MOS(金属-氧化物-半导体)结构。
势阱:表征MOS电容存储电荷的能力。
表面势:半导体与绝缘体界面上的电势Φs
2. 电荷耦合过程及其概念,电极的作用
电荷耦合就是电荷转移。
电荷耦合:移位寄存器中电荷在外加栅压有序的变化下,从一个电极的势阱向下一个电极下的势阱转移的现象。
基本结构应包括:转移电极结构、转移沟道结构、信号输入结构和信号检测结构。
电极的作用:在驱动信号作用下使电荷定向转移,相邻势阱耦合。
3. CCD输出信号特点?*重点 ①单沟道线阵CCD ②双沟道线阵CCD
①每个象素的输出信号浮置在一个正的直流电压上(如:5V),信号电平在几十∽几百mV变化,呈单极性负向变化。
②输出信号随时间轴按离散形式出现,每个电荷对应一个象元,中间由复位电平隔离(信号包含复位脉冲干扰)。
③将空间分布光学图像变换为按时间分布的离散电压信号。
4. 光注入型:用于图象传感
电注入型:用于信号存储和处理
光注入时间tc由CCD驱动器的转移脉冲的周期决定
5. ICCD工作过程:
①将景物成像在CCD光敏面上,光敏面将每个像敏单元的图像照度转变为信号电荷存在MOS电容器中;
②转移到移位寄存器(转移电极下的势阱)中;
③(在驱动脉冲作用下)顺序移出电荷并转为电压。
ICCD两种形式:
①单沟道线阵CCD ②双沟道线阵CCD
三、
1、转移效率η和转移损失率ε
η:一次转移后到达下一个势阱中的电荷量与原来势阱中的电荷之比
ε:电荷包在一次转移过程中损失的电荷量占原电荷量的百分比
2.影响转移效率的因素
①界面态对电荷的俘获可能造成转移损失
⑴界面态
⑵界面态影响
⑶克服方法:“胖零”
②(驱动时钟)工作频率对转移效率的影响
3. 驱动时钟的工作效率的上下限,以及上下限限制的决定因素
结论:工作频率的上限由电荷包的转移时间t决定。
结论:工作频率的下限由少数载流子的寿命τ决定.
4. 响应度、饱和曝光量
光响应度a(斜率):在线性区,直接反映CCD象元灵敏度和电荷/电压能力。
反映单位曝光量的增长下能产生电荷的能力。
饱和曝光量:CCD输出不再随曝光量变化而变化时对应临界点处的曝光量值
5. CCD光谱响应
表示CCD对各种单色光能的相对的响应能力,其中响应度最大的波长称峰值响应波长。
6. 噪声
噪声源:(1)由于电荷注入器件引起的噪声;
(2)电荷转移过程中,电荷量的变化引起的噪声;
(3)由检测产生的噪声。
光子噪声(输入噪声)
俘获噪声(转移噪声)
胖零噪声(转移噪声)
检测噪声(输出噪声)
暗电流噪声
7. CCD分辨率
分辨率:CCD能分辨的最小空间距离。象元数越多,象元中心距越小,
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