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6.1 光电效应即光电元器件 6.1.1 光电效应及分类 光电效应:物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的能量,从而产生的电效应。光电传感器的工作原理基于光电效应。 光电效应分为外光电效应、内光电效应和光生伏特效应三大类。 1. 外光电效应:在光线作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象(向外发射的电子叫做光电子。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等)。 2. 内光电效应:当光照射在物体上,使物体的电阻率ρ发生变化,或产生光生电动势的现象(它多发生于半导体内)。 3. 光生伏特效应:在光线作用下,物体产生一定方向电动势的现象。 6.1.2 光电元器件、特性及基本测量电路 1. 光电管、光电倍增管 基于外光电效应的光电发射型器件有: 光电管、光电倍增管 光电管有: 真空光电管、充气光电管 在一个真空的玻璃泡内装有两个电极: 光电阴极、光电阳极 由一个阴极和一个阳极构成,并且密封在一只真空玻璃管内。阴极装在玻璃管内壁上,其上涂有光电发射材料。阳极通常用金属丝弯曲成矩形或圆形,置于玻璃管的中央。 光线照射到光敏材料上便有电子逸出,逸出电子被具有正电位的阳极所吸引,在光电管内形成空间电子流,在外电路中产生电流。电阻上的电压降或电路中的电流大小与光强成函数关系,从而实现光电转换 。 基于内光电效应的光电发射型器件: 半导体材料受到光照会产生电子-空穴对,其导电性能增强。光线愈强,阻值愈低。 光照后电阻率发生变化的现象——称为光电导效应。 光电导效应的光电器件有: 光敏电阻(光电导型) 反向工作的光敏二极管 光敏三极管(光电导结型) 光敏电阻: 在黑暗的环境下,阻值很高。 受到光照并且光辐射能量足够大时,光导材料禁带中的电子受到能量大于其禁带宽度VEg的光子激发,由价带越过禁带而跃迁到导带,使其导带的电子和价带的空穴增加,电阻率变小。 光敏管工作原理 光敏管及其符号 光敏管工作原理与光敏电阻相似,差别在于光照在半导体结上。 光敏二极管的P-N结装在管的顶部,上面有一个透镜制成的窗口,以便入射光集中在P-N结上。 光敏二极管在电路中反向偏置,无光照时,流过的反向电流很小,因为P型材料中的电子和N型材料中的空穴很少。 光照射在P-N结上时 耗尽区内吸收光子而激发的电子-空穴对越过结区,使少数载流子浓度大增,通过P-N结产生稳态光电流。 漂过光敏二极管结区的电子-空穴对立刻被重新俘获,故增益系数为1。 特点:体积小,频率特性好,弱光下灵敏度低 光敏三极管 优点:电流灵敏度高 基于光生伏特效应的光电发射型器件: 光电池:利用光生伏特效应把光直接转变成电能的器件。 由于它可把太阳能直接变电能,因此又称为太阳能电池。它是基于光生伏特效应制成的,是发电式有源元件。它有较大面积的PN结,当光照射在PN结上时,在结的两端出现电动势。 当光照到PN结区时,如果光子能量足够大,将在结区附近激发出电子-空穴对,在N区聚积负电荷,P区聚积正电荷,这样N区和P区之间出现电位差。若将PN结两端用导线连起来,电路中有电流流过,电流的方向由P区流经外电路至N区。若将外电路断开,就可测出光生电动势。 (b) 光电池的工作原理示意图 + 光 P N - SiO2 RL (a) 光电池的结构图 I 光 P N 光电池的表示符号、基本电路及等效电路如图所示。 RL I U Id U I IΦ (a) (b) (c) 光电传感器的应用 光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器 工作原理: 首先将被测量的变化转换成光信号变化,然后通过光电转换元件变换成电信号。 可用于检测直接引起光量变化的非电量,如:光强、光照度、辐射测温、气体成分分析。 等;也可用于检验能转换成光量变化的其他非电量,如:零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度、加速度、物体形状、工作状态识别等 。 光电测量方法灵活多样,可测参数众多优点:非接触、高精度、高分辨率、高可靠性和响应快。 种类:激光光源、光栅、光学码盘、CCD器件、光导纤维 * * * * 第五章 热电偶传感器及其应用 把被测物理量转化为电源性信号的传感元件 应用很广泛的一种测温传感元件 在高温测量中尤其重要 通过本章的学习了解温度传感器的作用、地位、分类和发展趋势;掌握热电偶三定律及相关计算;掌握热敏电阻不同类型的特点及应用场合;了解其他温度传感器工作原理。 热电传感器 热能 电能 测量对象:温度、与温度有关的参量。 —— 热电偶 温度 电势 电阻 金属 半导体 热电阻 热敏电
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