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wo3—zno复合膜光催化降解亚甲基蓝研究 　　摘要：采用溶胶-凝胶法制备WO3-ZnO复合膜，并用其对亚甲基蓝进行光降解，研究了复合膜的焙烧时间、光源、pH、溶液初始浓度及光照时间对亚甲基蓝降解率的影响。结果表明，在35 mL pH 12.47、浓度为5 mg/L的亚甲基蓝溶液中放置焙烧2.0 h的WO3-ZnO复合膜，紫外光光照60 min后亚甲基蓝的降解率可达98.1%。 　　关键词：WO3-ZnO复合膜；亚甲基蓝；光降解 　　中图分类号：O643 文献标识码：A 文章编号：0439-8114（2013）11-2511-03 　　中国有着大量的服装生产企业，一直是染料生产和消费大国。而在服装的制造过程中，会产生大量的染料废水，如不经过净化处理就会对周边环境造成严重污染，不但严重威胁着人们的身体健康，也制约着当地经济的健康可持续发展[1]。染料废水由于含有的污染物种类多样、用量大、毒性大、难降解等，一直是工业废水降解处理的难点。目前，对染料废水的降解处理方法主要包括物理法、化学法、生物氧化法等，这些传统方法对染料废水的降解有一定的效果，但也存在着明显的不足和局限性。物理法一般是将污水中的污染物进行相转移，但并没有彻底将污染物去除而易造成二次污染；化学法在将一种有毒污染物降解的同时一般还会产生一些有毒的副产物；生物降解法单独使用一般很难彻底降解废水中的污染物，一般要与物理化学降解方法结合使用。 　　近年来，光催化氧化法由于具有环保、能耗低等优点在废水处理领域成为研究的热点[2]。半导体材料TiO2由于来源丰富、化学性质稳定、环保等优点而受到半导体光催化研究者的青睐[3，4]，是一种研究较为成熟的半导体催化剂，其缺点是光谱响应范围有限。据报道，ZnO具有和TiO2较相似的禁带宽度，都属于宽带隙半导体材料，但较TiO2有着更高的光催化活性[5-7]，其缺点是表面激发产生的电子-空穴易复合而降低光催化效率。提高ZnO光催化效率最有效的方法是利用两种半导体复合改变其能级结构，促进电子-空穴的分离，从而降低电子-空穴的复合几率。WO3禁带宽度为2.7 eV，比ZnO带隙窄，能级能与ZnO很好地匹配，二者复合可有效提高光催化效率。由于颗粒状的催化剂容易团聚且难回收，故研究了WO3-ZnO复合膜的光催化性能，重点考察了复合膜的焙烧时间、光源、pH、溶液初始浓度及光照时间对亚甲基蓝降解率的影响。 　　1 材料与方法 　　1.1 试剂与仪器 　　试剂：醋酸锌、乙醇、盐酸、钨酸钠、草酸、亚甲基蓝、二乙醇胺均为分析纯；蒸馏水为实验室自制。 　　仪器：721型紫外可见分光光度计，由上海精密科学仪器有限公司生产。 　　1.2 WO3-ZnO复合膜的制备及考察内容 　　分别采用文献[8，9]的方法制备ZnO和WO3溶胶。将ZnO胶体浇铸到预先洗净的载玻片上，通过自然延流形成一层膜，在烘箱中于90 ℃烘10 min后，采用同样的方法制备WO3膜，如此反复制备出WO3-ZnO复合膜（共3层膜）。将WO3-ZnO复合膜在300 ℃焙烧不同的时间待用。设置单因素试验考察焙烧时间、光源、亚甲基蓝初始浓度、pH及光照时间对WO3-ZnO复合膜光催化降解亚甲基蓝的影响。 　　1.3 光催化降解亚甲基蓝 　　2 结果与讨论 　　2.1 焙烧时间对亚甲基蓝降解率的影响 　　将焙烧不同时间的WO3-ZnO复合膜置于35 mL 10 mg/L的亚甲基蓝溶液中，紫外光照射40 min后取样测定亚甲基蓝的降解率，以考察不同焙烧时间对亚甲基蓝降解率的影响，结果如图1所示。由图1可以看出，亚甲基蓝的降解率随焙烧时间的延长先升高后降低，在焙烧2.0 h时催化剂的光催化活性达到最大。这主要是因为焙烧的初始阶段是WO3与ZnO晶粒尺寸增大的过程[10]，ZnO晶粒尺寸越大其表面的氧空位越多[11]，氧空位一方面可以减少电子-空穴对的复合，另一方面还可以促进ZnO对氧气的吸附，这两个因素共同导致复合膜的光催化活性得到提高。随焙烧时间的延长，增大的WO3与ZnO晶粒的数目也在增多，因此，亚甲基蓝的降解率提高。但当焙烧一定时间以后，增大的WO3与ZnO晶粒开始发生团聚现象，其一方面减小了亚甲基蓝与催化剂的接触面积，另一方面还增加了电子与空穴发生分离时的传输距离，不利于电子-空穴对的分离，因此，随焙烧时间的延长催化剂的活性反而降低。当焙烧2.0 h时，晶粒尺寸达到最佳值，并且团聚现象还不明显，因此后续试验选择焙烧2.0 h的复合膜为催化剂。 　　2.2 光源对亚甲基蓝降解率的影响 　　为了研究光源对亚甲基蓝降解率的影响，采用焙烧2.0 h的WO3-ZnO复合膜为催化剂，对35 mL 10 mg/L的亚甲基蓝溶液进行光降解，结果如图2所示。由图2可知，紫外光照射