集成电路设计原理2章 集成电路中的元器件及其寄生效应.ppt

2.5.3 高精度电阻 一般用来制作精度高的小阻值电阻（可用激光调阻） （2）金属薄膜电阻 2.5.4电阻常用图形与阻值计算 R = R□ Weff i=1 ∑Li n [ + 2k1 + ( n - 1 ) k2 ] b)直线窄条形2 a)直线窄条形1 e)直线宽条形1 d)直线宽条形2 c)折叠窄条形 f)折叠宽条形 g)直线级联形 宽度、端头及拐角修正 2.5.5电阻设计考虑 （1）精度要求 R ΔR = L ΔL W ΔW R□ ΔR□ + + ? 要求值 （2）功耗限制 PA= W*L I2*R = R□* W2 I2 ? PAmax R□ = PAmax 1/2 W I IWmax =( )max W ? I / ( )max W I 0.13 0.16 0.18 0.22 0.32 0.71 1.0 1.6 IWmax (mA/?m) 300 200 150 100 50 10 5 2 R□ (?/□) 2-5思考题 2-5-1.形成电阻的方式有哪些？各自的特点是什么？ 2-5-2.各种结构电阻的电阻值如何计算？ 2-5-3.设计电阻时应该考虑哪些因素？ 2-5 作业 2-5-1.给出你设计电阻的方案步骤。 §2-6 集成电容器和电感器 2.6.1 PN结电容 N–-epi P+ P+ P N+ B A P-Sub N+ Cj Cjs B A GND Rb Rcs P+ P+ P+ N+ B A P-Sub N+ Cj1 Cjs B A GND Rb Rcs Cj2 Re 应考虑： 1.工作电压的大小和电压的极性 2.电极的串联电阻 3.单位面积电容容量 2.6.2 MOS结构电容 N–-epi P+ P+ N+ P-Sub B A B A CMOS CJS DSC B A CMOS CD P-Sub B A n+ 反型层或埋n+ NMOS,PMOS CMOS= ?sio2 ?o tox A 2.6.3 平板结构电容 两个相邻的导电层都可看作是平板结构电容，通常通过增加生长薄介质层工艺提高单位面积电容值。常用的有： PIM—多晶-绝缘介质-金属 PIP —多晶1-绝缘介质-多晶2 MIM—金属A-绝缘介质-金属B 同层相邻金属的相对侧面间构成的平板电容通常设计成金属叉指电容 2.6.4集成电感 目前常用的电感是用顶层金属线构成的单匝线圈或多匝线圈，线圈形状可以是方形、圆形和多边形 。 影响电感值、Q值以及自谐振频率因素较多，通常采用工艺厂家提供的经过实际测试验证的电感图形、尺寸和模型。 设计参数主要有金属线宽度W、金属线间距S、内圈中心半径R和匝数N 2-6思考题 2-6-1.形成电容的方式有哪些？各自的特点是什么？ 2-6-2.各种结构电容的电容值如何计算？ 2-6-3.设计电容时应该考虑哪些因素？ 2.3.6小尺寸MOS晶体管与等比例缩小理论 a）恒定电场等比例缩小理论（CE理论 ） （2）按比例缩小理论 障碍：禁带宽度Eg、温度T、热电压VT、PN节内建电势?i、载流子饱和速度?sat、氧化层电荷密度Qox、工艺参数误差等等，都不能按比例变化。由此又使一些参数不能按比例变化。 带来的不利：有许多参数根据需要不希望或不应该按比例变化，如接触孔尺寸希望大一些，以减小接触电阻，而按比例缩小后接触电阻却增大为?2倍，等等。 2.3.6小尺寸MOS晶体管与等比例缩小理论 b）恒定电压等比例缩小理论（CV理论 ） （2）按比例缩小理论 主要特点是保持电源电压不变，水平尺寸和垂直尺寸均按相同比例因子?缩小。与此同时，为了使耗尽层宽度按比例因子?缩小，衬底浓度需要按比例因子?2增大。 带来的问题：高电场强度、高电流密度、高功耗密度等。 2.3.6小尺寸MOS晶体管与等比例缩小理论 b）恒定电压等比例缩小理论（CV理论 ） （2）按比例缩小理论 按CV理论缩小的器件以及电路主要性能参数表 ?3 电流密度 ? 单元电流 1 开启电压 ?3 功耗密度 1/? 引线电容 1 电源电压 1/?2 单元面积 1/? 栅电容 ?2 衬底浓度 ?2 引线压降 ? 引线电阻 1/? 结深 ?2 引线延迟时间常数 ?2 接触电阻 1/? 引线厚度 1/? 延迟功耗积 ? 耗尽层电场 1/? 场氧化层厚度 1/?2 单元延迟 ? 栅氧化层电场 1/? 栅氧化层厚度 ? 单元功耗 1 衬偏电压 1/? 器件水平尺寸 比例因子 参数 比例因子 参数 比例因子 参数 2.3.6小尺寸MOS晶体管与等比例缩小理论 c）准恒定电压等比例缩小理论（QCV理论 ） （2）按比例缩小理论 主要特征是尺寸按比例?缩小且要求电源