集电课程设计实指导书实验一 创建一个反相器原理图.docxVIP

实验一创建一个反相器原理图目录1.实验目的2.创建一个新单元3.熟悉Cadence Virtuoso Schematic Composer工具4.创建一个符号1.实验目的本实验通过创建一个由特定工艺制造的反相器使学生熟悉对Cadence Virtuoso Schematic编辑器的使用，记住常用的热键组合，以及关联特定工艺库的方法。 2.创建一个新单元启动 Cadence,调用 CIW（Command Interpreter Window）首先启动计算机，在用户名处键入 cdsusr, 密码处键入123456，进入Linux操作系统桌面，在cdsusr’sHome 文件夹中创建iclabs子文件夹。操作如下：File -- Create Folder, 在新创建的文件夹名称处键入iclabs。进入Linux桌面，单击鼠标右键打开终端。在打开的终端中执行下列命令：此时你可看见Cadence软件的CIW窗口出现。在CIW窗口中点击Tools--Library Manager..., 将打开库管理器。你可看到NCSU提供的库已显示在Library栏目中，有 NCSU_Analog_Parts,...等。点击库管理器中的File--New--Library..., 将打开New Library 对话窗口, 现创建一个新库取名为IClab1。点击OK弹出关联工艺库对话框，选择Attach to an existing techfile。不同的工艺库对应不同的MOS器件模型，在对原理图进行仿真时需要选择相应工艺库中的模型，这样得到的结果更接近实际情况。NCSU提供的CDK一共包含有9个工艺库，其中有MOSIS_layout_Test库。点击OK弹出选择特定工艺库对话窗口，对本实验，选择NCSU_TechLib_ami06库。在库管理器中选中刚创建的IClab1库，单击菜单File--New--Cell View...,弹出 Create New File 对话窗，Cell Name 可自己命名如inverter, Tool 选 Composer- Schematic, View Name 就会默认选中schematic。点击 Create New File 中的OK，就会启动Virtuoso Schematic Editor，如图：3.熟悉 Cadence Virtuoso Schematic Composer工具你需要在此编辑器中进行诸如放置器件，移动器件，连线及属性修改等操作，下面给出了常用热键，当然你也可进行菜单操作。另外上面没有列出的”Esc”键是用来退出某个命令的键，经常会用到它。构建一个反相器需要一个PMOS管和一个NMOS管，鼠标左击原理图编辑器的空白处，按热键I将会打开Add Instance对话窗口，按Browse会打开Component Browse窗，在Component Browse窗口中，Library选择NCSU_Analog_Parts，点击列出栏目中的N_Transistors或P_Transistors即可选择其中的器件，先点击N_Transistors，会打开以下窗口（见下左图）。选择nmos器件，其参数会显示在Add Instance 窗口中（见上右图）。移动鼠标到原理图编辑器中，nmos器件将显示在鼠标光标处，选择一个合适的位置（中间稍微偏下方）按鼠标左键放置nmos器件。对于pmos器件，先点击(Go up 1 level)其余操作步骤完全相同，不同之处在于需要点击列出栏目中的P_Transistors。接下来需要放置电源以及地的连接关系符号，这些符号在Component Browse对话窗中的Supply_Nets分类栏目中，点击该栏目，在打开的电源地连接符号中你可依次选择gnd（地）和vdd（电源连接）符号，并将其放置到合适的位置。至此按Esc键即可结束放置器件的命令。原理图编辑器应该显示如下图：大家注意到放置的pmos和nmos晶体管旁有参数显示，它们的值可根据设计者的要求进行更改。要改变值时，先点击编辑器左侧的属性图标或按热键Q，再点击需要更改属性值的器件图标，即可打开Edit Object Properties对话窗口。移动窗口右侧的滚动条可看到更多的属性值。对pmos或nmos器件来说，改变得最多的值就是沟道的Width和Length。需要注意的是，不同的工艺这两个属性值是有相应的最小值限制的，如上图中带阴影的两项分别为最小宽度和最小长度，所以你输入的长和宽数值不能比它们小。在大多数反相器中，pmos器件的沟道宽度是nmos器件的2-3倍，本次实验中将nmos器件的沟道宽度设为3u，而pmos器件的宽度设为6u。更改数值后点击OK完成。接下来就是将器件按构建反相器的原理连接起来，连线采