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第14章 磁场传感器 14.1 应用磁阻元件与磁透镜的地磁场传感器 14.2 采用磁阻元件的车用电子罗盘 14.3 陀螺仪 14.4 小结 14.1 应用磁阻元件与磁透镜的地磁场传感器 14. 1. 1地磁场传感器的概述 (1)MR元件。在地磁场传感器上，最重要的部件是检测磁场的元件，作为小型的固体检测元件有MR元件、霍尔元件等，这些固体检测元件用直流电源就可以驱动，而且电路也很简单。 MR元件的结构与电路如图14一1所示，MR元件是由制成有磁阻薄膜图案的玻璃基板、并粘接偏置永久磁铁后，再装好电极，用树脂模塑而成的。 一个是磁阻图案的等效电路为桥型，如图14一1(b)所示;另一个特点如图14一1(c)所示，通过图案的精心设计，保证对外部磁场而言，加上垂直方向的偏置磁场时，在45℃方向上的灵敏度最强。 14.1 应用磁阻元件与磁透镜的地磁场传感器 通过检测外部磁场与偏置磁场的合成磁场，可得到图14一2所示的输出特性，从图可知，在磁场强度为零附近的弱磁场处，对外部磁场来说，MR元件具有线性输出，而且还可以判别极性为S，还是为N。 14.1 应用磁阻元件与磁透镜的地磁场传感器 (2)地磁场传感器。地磁场传感器的结构与输出特性如图14-3所示。它是由汇集磁通的磁透镜(导磁板)及在水平面内分别在x、y方向上设置的检测磁场用MR元件构成的。 14.1 应用磁阻元件与磁透镜的地磁场传感器 14. 1. 2提高地磁场传感器的灵敏度 (1)导磁板的最佳状态。地球上，地磁场的水平分量允其量仅为0.35Gs，这对检测用MR元件来说就太弱了，因此，需要用磁透镜汇集地磁场的磁通。通常，磁透镜上采用了两个带锥度的强磁性磁棒，将强磁性体的锥度直线相对，其间放置磁场检测元件。 要想缩小磁场传感器的体积，关键在于提高磁透镜的效率。 最初时在MR元件上安装了长度不同的导磁板，这时地磁场传感器的增益及偏移变化情况分别如图14一4、图14一5所示，从图14一4中可知，地磁场传感器的增益与导磁板的长度大致成正比。从图14-5中可知，地磁场传感器的偏置与导磁板的长度没有关系。导磁板的宽度与增益的关系如图14一6所示。导磁板的锥部顶端宽与增益的关系如图14一7所示。 14.1 应用磁阻元件与磁透镜的地磁场传感器 (2)提高MR元件的灵敏度。将MR元件固定在南北方向上，改变驱动电压(驱动电流)时的输出电压如图14-8所示。驱动电压与输出电压成正比例关系，越是增大驱动电压，偏置与增益就越高。当然，希望增益要尽可能高。 提高MR元件灵敏度的结果如图14一9所示，通过改变偏置永久磁铁及去磁使得偏置磁场变得适当;通过图案形成及粘接偏置永久磁铁等元件结构的改进及制造工艺的改进，与最初相比，灵敏度提高了3倍以上。特别是去磁的效果最为显著。 MR元件改进前后的特性对比如图14一10所示。 14.1 应用磁阻元件与磁透镜的地磁场传感器 14. 1. 3地磁场传感器的温度特性 温度变化时地磁场传感器的输出电压变化情况如图14一11所示。与定电压驱动相比，定电流驱动时的偏置变化(方位圆中的变动)与增益的变化(方位圆半径的变化)都很小。这是因为温度变化时强磁性薄膜的电阻发生了变化，温度升高时，因强磁性薄膜的温度系数是正的，所以电阻增加。在采用定电压驱动时，通过薄膜图案的电流变小，输出电压下降，所以偏置与增益同时下降与此相比，采用定电流驱动时，即使电阻增加，但外加电压升高而维持电流不变，所以输出电压不变，偏置与增益也保持不变，实际上，虽说是定流源，并不可能维持完全一定的电流值，多少还有些变化，如图14一11所示。温度下降时，与此相反。 14.2 采用磁阻元件的车用电子罗盘 14. 2. 1电子罗盘的构成及其原理 (1)电子罗盘的构成。电子罗盘的方框图如图14一12所示。不包括放大器、电源等电路部分的地磁场传感器的原理如图14一13所示。 (2)方位检测原理。 (3)方位测量中的误差。 14.2 采用磁阻元件的车用电子罗盘 14. 2. 2地磁场传感器模块的温度补偿 地磁场传感器模块的输出随温度的变化情况如图14一14所示。其输出电压的变化是电源、放大电路及MR元件与温度关系的综合因素所造成的。但是，MR元件与温度的关系起主要作用这是因为磁阻薄膜图案的电阻的温度变化是主要原因。一般来说，强磁性材料的温度系数为正，温度升高时，电阻增加。因此，在驱动电压一定的条件下，温度升高时，如图14一14所示那样，增益(方位圆的半径)与偏置(方位原点的位置)都减小。温度下降时，与此相反，增益与偏置都增大。 MR元件与温度的关系如图14一15