付小宁版“光电检测技术与系统”六章3、4.ppt

IS 　A PH S/H A/D 计 算 机 译码 时序控制 驱动 激光测微装置电路框图 ２.小尺寸测量 小尺寸的检测是指待测物体可与光电器件尺寸相比拟的场合。 信号处理 计 数 显 示 控制器 L n·p 式中: f`__—透镜焦距 a——物距 b ——像距 β——放大倍率 n ——像元数 p——像元间距 解释: 由成像公式 §6.3 、电荷耦合器件 (Charge Coupled Device, CCD) 固体成像器件 电荷耦合器件CCD (Charge Coupled Device, CCD) 互补金属氧化物半导体 CMOS图像传感器 （Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS） CCD立体相机 前中后三层影像合成三维图片 激光高度计 (高度5m、分辨率1m) 干涉成像光谱仪 γ射线相机 X射线相机 微波探测仪 (土壤厚度、氦-3) 高能粒子探测器 低能离子探测器 元素探测 探测地月间的环境 电荷耦合器件CCD 线阵CCD 面阵CCD 表面沟道CCD(SCCD),电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界面转移。 体沟道CCD(BCCD),电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内，并在半导体内沿一定方向转移 CCD类型 6.3.1 电荷耦合器件的工作原理 1.1、CCD工作原理 CCD 光信息 电脉冲 脉冲只反映一个光敏元的受光情况 脉冲幅度的高低反映该光敏元受光照的强弱 输出脉冲的顺序可以反映一个光敏元的位置 完成图像传感 特点：以电荷作为信号 基本功能：电荷的存贮和转移 CCD基本工作原理 信号电荷的产生 信号电荷的存贮 信号电荷的传输 信号电荷的检测 1.1.1 电荷存贮 CCD 是由规则排列的金属—氧化物—半导体（Metal Oxide Semiconductor,MOS）电容阵列组成。 Metal Oxide Semiconductor 金属 VG 氧化物 （SiO2） 半导体 (P—Si) 电子 势阱 界面势 如果有光入射到半导体硅片上，在光子的作用下，半导体硅产生电子－空穴对，由此产生的光电子被表面的势阱所吸收。而空穴被电场排斥出耗尽区。 当在金属电极上加正电压VG时，在电场的作用下，电极下Ｐ型区域里的多数载流子空穴被排斥、驱赶，形成了一个耗尽区。 而对于少数载流子电子，电场则吸引它到电极下的耗尽区。耗尽区对于带负电的电子来讲是一个势能很低的区域称为“势阱”。 势阱积累电子的容量取决于势阱的“深度”，而表面势的大小近似与栅压VG成正比。 势阱内吸收的光电子数量与入射光势阱附近的光强成正比。这样一个MOS结构单元就称光敏单元或一个象素；而将一个势阱所吸收集的若干个光生电荷称为一个电荷包。 通常在半导体硅片上制有成千上万个相互独立的MOS光敏单元，如果在金属电极上加上正电压，则在半导体硅片上就形成成千上万的个相互独立的势阱。如果此时照射在这些光敏单元上是一副明暗起伏的图像，那么这些光敏元就会产生出一幅与光照强度相对应的光电荷图像，因而得到影像信号。 1.1.2.电荷耦合 CCD器件每一单元（每一像素）称为一位，有256位、1024位、2160位等线阵CCD。CCD一位中含的MOS电容个数即为CCD的相数，通常有二相、三相、四相等几种结构，它们施加的时钟脉冲也分为二相、三相、四相。二相脉冲的两路脉冲相位相差1800；三相及四相脉冲的相位差分别为1200、900 。当这种时序脉冲加到CCD驱动电路上循环时，将实现信号电荷的定向转移及耦合。 图所示TCD1206的相邻两像元，每一位含MOS电容2个 取表面势增加的方向向下，工作过程如图所示： 第二位 第一位 不对称势阱 每一位下两个 Φ1 Φ2 ① t=t1时 ② t=t2时 ③ t=t3时 ④ t=t4时 Φ1 Φ2 t1 t2 t3 TCD1206二相驱动波形（Φ1、Φ2相位差1800） t4 　a　　t=t1时 ，Φ1电极处于高电平，而Φ2电极处于低电平。由于Φ1电极上栅压大于开启电压，故在Φ1下形成势阱，假设此时光敏二极管接收光照，它每一位（每一像元）的电荷都从对应的Φ1电极下放入势阱。 b t=t2时 ，Φ1电极上栅压小于Φ2电极上栅压，故Φ1电极下势阱变浅，势阱变深，电荷更多流向Φ2电极下。（由于势阱的不对称性，“左浅右深”，电荷只能朝右转移 c t=t3时 ，Φ2电极处于高电平，而Φ1电极处于低电平，故电荷聚集到Φ2电极下，实现了电荷从Φ1电极下到Φ2电极下的转移。 d 同理可知，t=t4时 ，电荷包从上一位的Φ1电极下转移到下一位的