第3 集成电路制造工艺1.pptVIP

* 1、N阱——有源区——硅栅——P型注入——N型注入——接触孔——金属1——通孔——金属2——PAD。 2、作用：提高场区阈值电压、减缓表面台阶、减小表面漏电流。 3、作用：在硅栅形成后，利用硅栅的遮蔽作用来形成MOS管的沟道区，使MOS管的沟道尺寸更精确，寄生电容更小。 4、为做P型MOS管提供衬底。 5、利用硅栅自对准，进行N型或P型扩散形成的。 * 1、做N阱——场区氧化——做硅栅——P型注入——N型注入——接触孔——金属1——通孔——金属2——PAD。 2、在硅栅形成后，利用硅栅的遮蔽作用来形成MOS管的沟道区，使MOS管的沟道尺寸更加精确，寄生电容更小。 * * 1.2.1 主要工艺流程 1.衬底准备 P+/P外延片 P型单晶片 * * P-Sub 1.2.1 主要工艺流程 2. 氧化、光刻N-阱(nwell) * * 1.2.1 主要工艺流程 3. N-阱注入，N-阱推进,退火，清洁表面 N阱 P-Sub * * P-Sub N阱 1.2.1 主要工艺流程 4. 长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active反版) * * P-Sub 1.2.1 主要工艺流程 5.场区氧化（LOCOS）, 清洁表面 (场区氧化前可做N管场区注入和P管场区注入） * * P-Sub 1.2.1 主要工艺流程6. 栅氧化,淀积多晶硅