晶体生长科学与技术5(9-10节课)..pptVIP

* * * * * * * * * 在温场中任取一闭合曲面，处于闭合曲面中的热源在单位时间内产生的热量为Q1，而在闭合曲面外通过热传输(传导、对流和辐射)在单位时间内净流入的热量为Q2，则此两部分热量之和为曲面内在单位时间内温度升高所吸收的热量Q3，有Q1+Q2=Q3； * * 在温场中任取一闭合曲面，处于闭合曲面中的热源在单位时间内产生的热量为Q1，而在闭合曲面外通过热传输(传导、对流和辐射)在单位时间内净流入的热量为Q2，则此两部分热量之和为曲面内在单位时间内温度升高所吸收的热量Q3，有Q1+Q2=Q3； * * * 在温场中任取一闭合曲面，处于闭合曲面中的热源在单位时间内产生的热量为Q1，而在闭合曲面外通过热传输(传导、对流和辐射)在单位时间内净流入的热量为Q2，则此两部分热量之和为曲面内在单位时间内温度升高所吸收的热量Q3，有Q1+Q2=Q3； * * 应该是这样 ：把前面Ts对t的偏导改成先对z偏导，然后乘z对t偏倒，后面的Ts与时间无关系，因此对z‘求导数和对z求导数是一样的。 * * * * * * * 利用珀耳帖效应控制晶体生长直径 珀耳帖效应(Peltier effect)：当两种不同的半导体、半导体与金属或者两个不同金属相接触通以电流时，接触面处除产生焦耳热以外，还会产生吸热或放热的现象。是J.C.A.珀耳帖于 1834 年发现的； 略去焦耳热和热传导等不可逆现象，珀耳帖效应是可逆的，即当电流反向时，接触面处的吸、放热互换 ，吸收或放出的热量称为珀耳帖热。当有电量e通过接触面时 ，珀耳帖热与e成正比，即Q=IIABe ，IIAB称为珀耳帖系数，与A、B材料的性质和温度有关。 当两种不同的半导体、半导体与金属或者两个不同金属为非整流欧姆接触，平衡时费米能级应该等高。考虑到费米能级和价带顶的相对位置，载流子要通过接触面就会吸收或者放出能量； 珀耳帖效应是温差电效应的逆过程； 此时由Q1=Lm，考虑到珀耳帖效应有Q1=Lm±qiA，代入方程Q1=QS-QL； 利用珀耳帖效应控制晶体生长直径 此时，晶体直径关系：A=(QS-QL)/(LV ρS±qi)； 保持热损耗，加热功率和拉速不变时，可控制qi来控制A； 珀耳帖制冷效应已用于Cz法Ge晶体生长的放肩阶段以及等径生长阶段，珀耳帖致热效应已用于生长过程中的缩颈和收尾阶段； 优点：自动地消除固液界面处的温度起伏；精确控制晶体等径生长直径，所长成的Ge晶体，在长度为1-2厘米范围内直径偏差0.1%；调节功率滞后时间极短，避免电阻加热方式导致的滞后现象； 总结 影响晶体生长的因素： 方程A=(QS-QL)/LV ρS； QL比例于熔体的加热功率，如果保持其他参数，生长速率V，热损耗QS不变，可以通过控制加热功率来控制参数A，达到控制晶体生长直径的目的； 保持拉速V和加热功率QL不变，调节热损耗QS也能调节晶体的直径，通过改变气体流量来调节热损耗，尤其适用于在需要采用保护气氛的晶体生长系统中 ； 珀耳帖效应； 调节拉速，但考虑到溶质瞬态分凝，导致晶体质量的不均匀分布，很少采用； 晶体的极限生长速率 影响晶体生长的因素： 如前所述，A为晶体截面积，KS， KL分别为固相和液相的热传导系数，GS，GL分别为固-液界面处固相中和液相中的温度梯度，根据热传导定律，有：QS=AKSGS ，QL=AKLGL， 由固-液界面处能量守恒方程： Lm=QS-QL=AKSGS-AKLGL； 代入m=AV ρS； 有生长速率V= (KSGS-KLGL)/LρS； V= (KSGS-KLGL)/LρS 从上式中可以看到，晶体中温度梯度Gs增加可以提高晶体的生长速度，熔体中温度梯度GL增加则降低晶体的生长速度； 熔体中温度梯度GL越小，晶体生长速率越大，所以VMAX的情况出现在：GL=0，此时VMAX=KSGS/LρS； 如果GL为负值，根据方程，晶体生长速度更大，但是此时熔体为过冷熔体，固液界面的稳定性遭到破坏，晶体生长变得不能控制，这是人工晶体生长所要避免的的； 所以，最大生长速率取决于晶体中温度梯度的大小，提高晶体中的温度梯度能提高晶体生长速率；但晶体中温度梯度太大将导致过高的热应力，引起位错等晶体缺陷的产生，情况严重时，甚至可能导致晶体的开裂； 另外，晶体生长速率还与热传导系数成正比，但也要综合考虑到晶体的熔点、凝固潜热、生长界面的稳定性、环境气氛的类型和状态等因素，这些因素会极大地影响固-液界面处产生的潜热多少以及潜热耗散的难易程度；； 通过该讨论可估计晶体的极限生长速率，与实验值大体上符合；(硅晶体极限生长速率估计值为2.96厘米/分，实验值为2.53厘米/分) 晶体生长过程中的放肩阶段 应用能量守恒方程对晶体生长过程中的放