第3 集成电路制造工艺2.pptVIP

* 接触孔模块工艺 淀积氧化硅USG APCVD：400nm 接触孔光刻 接触孔刻蚀: 刻蚀TEOS/BPSG 刻蚀SiON 去胶 P-Well n+ n+ N-Well p+ p+ 场氧 此氧化硅USG是下面BPSG的掩蔽层(Cap-layer) 接触孔大小为：0.4μm?0.4 μm 第32页/共42页 * 接触孔模块工艺 接触孔阻挡层淀积 Ti/TiN: 25 nm. W-CVD 淀积: 300 nm. W-返腐蚀(Etch-back) （或者W-CMP） P-Well n+ n+ N-Well p+ p+ 场氧 TiN可以阻止W与周围介质(Si)之间的反应和元素扩散，同时可增强钨与介质之间的黏着力，但电阻率太高。 Ti用来降低电阻率。 对于Polycide工艺，由于其源漏上没有硅化物，因此在淀积Ti/TiN之前， 需先在接触孔内进行低能离子注入，以减小接触电阻。 第33页/共42页 * 流片开始 有源区工艺 栅堆积工艺 源漏工艺 PMD与接触孔工艺 金属化工艺 钝化工艺 工艺流程介绍 第34页/共42页 * 金属化工艺 金属夹层淀积： Ti/Al(Cu)/Ti/TiN Al(Cu) : 5500A. P-Well n+ n+ N-Well p+ p+ 场氧 Ti：电阻率较低，并可改善金属Al与TiN（以及介质）之间的界面，从而增强Al线的抗电迁移(Electro