光注入非平衡载流子.PPT

爱因斯坦关系式 连续性方程式 庞智勇 山东大学物理学院 本幻灯片参照刘恩科等所编著教材《半导体物理学》编写 半导体物理 Semiconductor Physics 爱因斯坦关系式 半导体物理 Semiconductor Physics 外加电场下平衡及非平衡载流子漂移电流密度 半导体物理 Semiconductor Physics 同时存在扩散电流和漂移电流时 一维 E 外加电场 光照 半导体物理 Semiconductor Physics 迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，而扩散系数是反映存在浓度梯度时载流子运动的难易程度的量，爱因斯坦找到了两者之间的定量关系，这个关系就是爱因斯坦关系式 半导体物理 Semiconductor Physics 以一维情况为例 考虑一块处于热平衡状态的非均匀的n型半导体，其中施主浓度随x增加而下降，电子和空穴浓度x函数n0(x) 。由于浓度梯度的存在，载流子扩散产生电流，扩散电流密度为 平衡的非简并半导体 半导体物理 Semiconductor Physics 施主杂质不能移动，电子的扩散在体内产生内电场，导致电子漂移电流： 平衡条件下，不存在宏观电流 不加外电场！ + + + + + + + 电子扩散 ------ 电子扩散电流 ------- 空穴扩散 ------ 空穴扩散电流 ------- 内电场 -------- 电子漂移 ------- 电子漂移电流 -------- 空穴漂移 -------- 空穴漂移电流 -------- 半导体物理 Semiconductor Physics 联立 得 内部电势也是x的函数 半导体物理 Semiconductor Physics 计入静电势能后，非简并下电子浓度公式 求导 半导体物理 Semiconductor Physics 这就是爱因斯坦关系式，它表明了非简并情况下载流子迁移率和扩散系数之间的关系 由平衡载流子推导出，但是实验证明，可直接应用于非平衡载流子 利用爱因斯坦关系式，已知迁移率，可求扩散系数 半导体物理 Semiconductor Physics 扩散运动和漂移运动同时存在时少数载流子遵守的运动方程：连续性方程式 半导体物理 Semiconductor Physics N型半导体，一维情况，光注入非平衡载流子，小注入条件，x方向电场|E| N型 E x 半导体物理 Semiconductor Physics 半导体中同时存在扩散电流和漂移电流 由于扩散，单位时间单位体积中积累的空穴数： 由于漂移，单位时间单位体积中积累的空穴数： 半导体物理 Semiconductor Physics 小注入条件下，单位时间单位体积中复合消失的空穴数： 由于其它外界因素引起的单位时间单位体积中空穴数的变化：gp 综合上面四项可能导致空穴数变化的因素，单位体积内空穴随时间的变化率应当是 连续性方程式 半导体物理 Semiconductor Physics 讨论一、如果光注入恒定 gp= 0，则p不随时间变化，即 稳态 半导体物理 Semiconductor Physics 稳态下，如果材料是均匀的，平衡空穴浓度p0与x无关，电场是均匀的， 普遍解 半导体物理 Semiconductor Physics 令 空穴的牵引长度-空穴在电场作用下在寿命时间内所漂移的距离 两个解λ1, λ2 半导体物理 Semiconductor Physics 显然， λ1 0, λ2 0。考虑到注入时非平衡载流子随x衰减的实际情况，舍去第一项， 系数B的确定： 半导体物理 Semiconductor Physics 强电场下近似 考虑到函数(1+x)m的展开式???????? ?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? ,|x|1 半导体物理 Semiconductor Physics 电场很强，扩散运动可以忽略时，由表面注入的非平衡载流子深入样品的平均距离是牵引长