第2 1 集成器件物理基础.pptVIP

总的扩散电容 对于p+n结： 对照结电流的表达式，令JD=I/A，则CD为： 3 PN结电容 PN结电容等于势垒电容和扩散电容之和. 正向偏置时,由于正向电流JD较大,使扩散电容大于势垒电容.反偏时,流过PN结的是很小的饱和电流,扩散电容很小,主要是势垒电容起作用. 击穿现象:加在PN结上的电压增大到一定程度时，出现反向电流突然变得很大。 1.雪崩击穿 由于反向偏压，势垒中的电场很强以致电子和空穴在电场的加速下能把价键上的电子碰撞出来产生新的电子空穴对。新的电子空穴对在电场的加速下又能把价键上的电子碰撞出来……如此连锁反应好比雪崩一样，导致电流迅速增加。 2.3.5 pn结击穿 掺杂浓度越低，击穿电压越高 2. 隧道击穿（齐纳击穿） 在较高的反向偏压的作用下，pn结p区价带顶附近电子的能量可升高到超过n区导带底电子能量的程度， 使p区中的价带的电子可以借助量子力学中的隧道效应穿过禁带而直接到达n区导带，从而构成很大的反向电流。 3 热击穿 功率器件中的PN结，由于反向功率损耗发热，会引起PN结温度升高，温升又引起载流子本征激发增强,促使反向电流增大。 电流增大的结果使温升继续上升，如果器件散热不良，这种连锁反应会形成电流的急剧增加，导致PN结损坏。 2.3.6 二极管等效电路模型和二极管应用 器件模型和模型参数 二极管、三极管、MOS管是非线性器件，描述器件特