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常用器件的检测和管脚排列 一、检测 1．二极管和桥堆： 二极管的检测是用万用表的二极管档测PN结的压降，二极管的正极是PN结的正端，负极是PN结的负端。PN结的正向压降约为0.3—0.8V，反向为∞。桥堆的检测和二极管一样，分别测四个二极管的好坏，若其中有一个坏的，则桥堆是坏的。 2．三极管： 三极管有NPN型和PNP型，用万用表的二极管档测两个PN结的压降，可粗略判断三极管的好坏，PN结的正向压降约为0.2—0.7V，反向为∞。也可以测三极管的放大倍数，数值为0或∞的管子一般是坏的。三极管的损坏形式一般是b-e结击穿，严重时连c-b结也击穿。 三极管在应用上有高、低频之分。NE5551是高频管,c9012、c9013、c1815是低频管。代换的原则是高频可代低频，低频不能代换高频。代换时应注意NPN、PNP型及管脚顺序。 3．MOS管： 场效应管（常用MOS管）有N沟道型和P沟道型，测试时用万用表的二极管档，栅极（G）对源极（S）和漏极（D）是双向绝缘的（数值为∞）；S对D相当于一个PN结（P沟道型为D对S），测试时可参照PN结的测试。MOS管的损坏形式一般是D-S结击穿，严重时连G-S绝缘也击穿。 MOS管还有一个触发特性。用万用表的二极管档，对于N沟道，当红表笔接触G极，黑表笔接触S极（P沟道型为红接S，黑接G）时，DS结应导通，即DS间的压降很小或为0；然后用红表笔接触S极，黑表笔接触G极（P沟道型为红接G，黑接S），DS结应恢复为正向压降约为0.2—0.7V，反向为∞，即关断。 对于一些要求不是特别严格的三极管和MOS管，如有损坏，手头又无同种管子时，可用参数相近的管子替代，但要注意PN结的方向及管脚顺序。如：0300是公司早期用到的管子，可用s170替代，但要注意管脚顺序；s170和c9013有时可以互换，D1403有时可用IRFP250替代，IRFP840有时可用K719替代等等，同样要注意管脚顺序。 对于功率器件上并联扩流的功率管，因要求各管的一致性要好，一般不允许替换，如有必要，可把全部的功率管换为耐压较高、耐流较大、的管子，同时还要注意管子的频率特性、PN结方向和管脚顺序及封装形式（因功率管一般与散热器相连）。 4．达林顿管： 达林顿管MJ11032的测试可根据PN结的特性和它的原理图来测试。b-c间可当做一个PN结，b-e是一个PN结，b-e间的电阻较大，对b-e的影响很小。 5．模块： EVK和EVL模块的原理与MJ11032类似，区别是它们的b-e间的电阻较小。 IGBT模块可通过测量G-E间的结电容来判断，模块的G-E结电容与它的耐流值有关，一般好的100A以下模块G-E结电容在4~20nF间，100A以上模块的G-E结电容可能超过20nF。我们也可以通过测量模块G-E、G-C、C-E的电阻来判断，常见模块的损坏形式是G-E击穿或C-E击穿。 6．电容： 电容的等效电路如右图，当电容老化时，Esr逐渐增大，C逐渐减小，导致内部温度升高而形成恶性循环，继而膨胀、失效。有些损坏的电容可从外观上来判断，膨胀、变形的电容一般是坏的。电容也可以万用表来测量，对于容值较小的，可以用万用表的电容档测其容值，偏差不大的电容是好的；对于容值较大的电解电容，可用万用表的电阻档来测量，若阻值能够从很小缓慢增大到∞，且对调表笔后能同样变化的，则电容是好的，若阻值很小或很大且不会发生变化的，则电容是坏的。 电解电容在应用上有高、低频之分，目前公司使用的“江海牌”的电容，如是“CD26X”（X为任意数）则为高频电容，其它为低频电容，这在维修更换时要注意。 7．继电器： 继电器的损坏情况一般是线圈开路或触点粘死，我们可以通过测量其线圈的阻值和触点的导通情况，直流12V的继电器线圈电阻约为160Ω，48V的约为1.8KΩ，COM是公共端，NC为常闭端，NO为常开端。我们也可以在继电器的线圈两端加额定直流电压，好的继电器能听到触点吸合的声音，并且测NO对COM应短路，NC对COM应开路；断开电源时也应听到触点放开的声音，且NC对COM应短路，NO对COM应开路。 8．变压器： 变压器的损坏一般是匝间短路或开路。开路的情况可以用万用表测量；对于短路情况，我们可以在它的高压端加交流市电，然后测它的空载损耗和副边电压来判断它的好坏。如主变，可按右图接线测量，它的空载电流应小于它所能提供最大电流的5%（少数可达10%）；对于一些小的变压器，主要依靠测副边电压，如15V变压器，原边如220Vac时，副边电压大约为15V。 9．电阻： 色环电阻的标识有两种，如下图。一种是普通电阻，四条色环，从色环较密的一端看，第一条为十位数，第二条为个位数，第三条为10的指数位，第四条为误差；一种是精密电阻，五条色环，从较密的一端看，第一条为百位数，第二条为十