(物理实验）6-伏安法测量硅光电池和二极管的特性曲线.ppt

伏安法测量硅光电池和二极管的特性曲线 实 验 目 的 了解伏安法测量线路的特点 掌握伏安特性的测量方法及不确定度的分析 理解硅光电池的内等效电路和内光电效应。 实验仪器 硅光电池组 碘钨灯 电风扇 数显万用表 接插件/板 实验原理 根据欧姆定理，只要测得元件的电压和电流后，可得 R=V/I 应用中学里的电学知识，考虑到表头的内阻，测量回路有电流表内接和电流表外接。通常电压表的内阻远大于电流表的内阻 （达几个数量级）。 自己确定测量硅光电池的恒流源的伏安特性电路，计算MPPT及其在曲线中的位置。 自己确定测量内等效电路中的二极管的伏安特性的电路。 实验原理图 操作要点 从硅光电池的伏安特性曲线中选取1~2个测量点，作为比较基准；然后，改变硅光电池板与灯的间距及改变基准位置处的角度，记录测量结果。再断开硅光电池板的正极连接线，用万用表测量负载电阻，之后对相同列数据进行分析。 原始数据记录列 测量数据之比较 思考题 内等效电路中的恒流源是否稳定？ 利用恒流源设计一个电池浮冲电路。 相关资料链接 在光的照射下，物体内部的原子可以释放出电子，但仍留在物体内部，于是在物体内部形成的电子和空穴的数目大为增加，从而使物体的电阻率降低而导电性增加；这一现象被称作内光电效应。 半导体受光照产生电势的现象称为光生伏特效应。 光电池是一种不需要外加电源，只在光照下直接将光能